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清 华 大 学 《模 拟 电 子
技 术 基 础 》 习 题 解 答
与 答 案
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第一章 半导体基础知识
自测题
一、( 1)√ (2)× (3)√ (4 )× (5)√ (6 )×
二、( 1)A (2 )C (3 )C (4 )B (5)A C
三、 UO1 ≈1.3V UO2 =0 UO3 ≈- 1.3V UO4 ≈2V UO5 ≈2.3V UO6 ≈-2V
四、UO1 =6V UO2=5V
五、根据 PCM =200mW 可得: UCE =40V 时 IC =5mA ,UCE =30V 时 IC≈
6.67mA ,UCE =20V 时 IC =10mA,UCE =10V 时 IC =20mA ,将改点连接成曲
线,即为临界过损耗线。图略。
六、 1、
V BB U BE
I B 26 μA
R
b
I C IB 2 .6 mA
U CE VCC I C RC 2V
UO =UCE =2V 。
2、临界饱和时 UCES =UBE =0.7V ,所以
VCC U CES
I C 2.86mA
R
c
IC
I B 28.6μA
V BB U BE
Rb 45.4k
I B
七、T 1:恒流区; T2 :夹断区; T3:可变电阻区。
习题 u i /V
10
O t
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u o /V
10
t
O
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1.1 (1)A C (2)A (3 )C (4 )A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.3V
时管子会因电流过大而烧坏。
i o
1.3 u 和 u 的波形如图所示。
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