清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案讲课教案.pdf

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清 华 大 学 《模 拟 电 子 技 术 基 础 》 习 题 解 答 与 答 案 精品文档 第一章 半导体基础知识 自测题 一、( 1)√ (2)× (3)√ (4 )× (5)√ (6 )× 二、( 1)A (2 )C (3 )C (4 )B (5)A C 三、 UO1 ≈1.3V UO2 =0 UO3 ≈- 1.3V UO4 ≈2V UO5 ≈2.3V UO6 ≈-2V 四、UO1 =6V UO2=5V 五、根据 PCM =200mW 可得: UCE =40V 时 IC =5mA ,UCE =30V 时 IC≈ 6.67mA ,UCE =20V 时 IC =10mA,UCE =10V 时 IC =20mA ,将改点连接成曲 线,即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB U BE I B 26 μA R b I C IB 2 .6 mA U CE VCC I C RC 2V UO =UCE =2V 。 2、临界饱和时 UCES =UBE =0.7V ,所以 VCC U CES I C 2.86mA R c IC I B 28.6μA V BB U BE Rb 45.4k I B 七、T 1:恒流区; T2 :夹断区; T3:可变电阻区。 习题 u i /V 10 O t 收集于网络,如有侵权请联系管理员删除 u o /V 10 t O 精品文档 1.1 (1)A C (2)A (3 )C (4 )A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 i o 1.3 u 和 u 的波形如图所示。

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