清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案讲课教案.pdf

清 华 大 学 《模 拟 电 子 技 术 基 础 》 习 题 解 答 与 答 案 精品文档 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（ 1）√ （2）× （3）√ （4 ）× （5）√ （6 ）× 二、（ 1）A （2 ）C （3 ）C （4 ）B （5）A C 三、 UO1 ≈1.3V UO2 ＝0 UO3 ≈－ 1.3V UO4 ≈2V UO5 ≈2.3V UO6 ≈－2V 四、UO1 ＝6V UO2＝5V 五、根据 PCM ＝200mW 可得： UCE ＝40V 时 IC ＝5mA ，UCE ＝30V 时 IC≈ 6.67mA ，UCE ＝20V 时 IC ＝10mA，UCE ＝10V 时 IC ＝20mA ，将改点连接成曲 线，即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB U BE I B 26 μA R b I C IB 2 .6 mA U CE VCC I C RC 2V UO ＝UCE ＝2V 。 2、临界饱和时 UCES ＝UBE ＝0.7V ，所以 VCC U CES I C 2.86mA R c IC I B 28.6μA V BB U BE Rb 45.4k I B 七、T 1：恒流区； T2 ：夹断区； T3：可变电阻区。 习题 u i /V 10 O t 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 u o /V 10 t O 精品文档 1.1 （1）A C （2）A （3 ）C （4 ）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 i o 1.3 u 和 u 的波形如图所示。