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培训对象:硅单晶制取工
培训讲师:詹文平
硅单晶分厂;内容;热场的优劣对单晶硅的质量有很大影响。合适的热场,能够生长出高质量的单晶。不好的热场容易使单晶变成多晶,或者根本无法引晶。有的热场虽然能够生长单晶,但质量较差,有位错和其它结构缺陷。因此,找到较好的热场条件,配置最佳的热场,是非常重要的直拉单晶工艺技术。
热场有大有小,它是按照所用的石英坩埚的直径大小来划分的,目前国内热场从¢12″~ ¢28 ″都有,但以¢18″~ ¢22″居多。;一、热场结构;热
场
示
意
图;加热器;加热器;石墨电极;石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘;坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了石墨坩埚的支撑体,要求和下轴结合牢固,对中性良好,在下轴转动时,托杆及托盘的偏摆度≤0.5mm。
支撑体的高度是可以调节的,这样可以保证熔料时,坩埚有合适的低埚位,而拉晶时,有足够的埚跟随动行程。;保温罩;中、上保温罩的作用也是为了减少热量的损失。只不过保温罩外面的石墨碳毡的层数不一样,这样使得温度梯度不一样。
排气的方式有上排气和下排气。CZ1#厂房现在使用的比较多的是上排气。这样,上保温罩上面就存在几个排气孔,这些排气孔保证在高温下蒸发的气体的排出。;保温盖、导流筒;压环; (1)安装前
安装热场前,尤其是新热场,应仔细擦拭干净,去除表面浮尘土,检查部件的质量,整个炉室在进行安装热场前也必须擦拭完毕。
(2)安装
安装顺序一般是由下而上,由内到外。
石墨电极安装时,左右对齐,处在同一水平面上,不可倾斜,同时要和托杆对中。
放上加热器之后,加热器的电极孔要与下面的电极板的两孔对准。;安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩→导气孔→保温盖板→装导流筒→压环; (3)对中顺序
在整个安装过程中,要求整个热系统对中良好,同心度高,需要严格对中:
; ②加热器与石墨坩埚的对中:转动托碗,调整埚位,让石墨坩埚与加热器口水平(此时的埚位成为平口埚位),再稍许移动加热器电极,与托碗对中,这时石墨坩埚和加热器口之间的间隙四周都一致。
; ③保温罩和加热器对中:调整保温罩位置,做到保温罩内壁与加热器外壁之间四周间隙一致。注意可径向移动,不得转动,否则测温孔就对不准了。
④保温盖和加热器对中:升起托杆,让三瓣锅其与保温盖水平,调整保温盖的位置,使得四周间隙一致。
此外:
⑤下保温罩和电极之间的间隙前后一致,切不可大意造成短路打火。
⑥测温孔对一致。; (4)煅烧
新的热场需要在真空下煅烧,煅烧时间约10小时左右,煅烧3~5次,方能投入使用。使用后,每拉晶4~8炉后也要煅烧一次。
煅烧功率,不同的热场不一样,一般要比引晶温度高,CZ1#炉子煅烧最高功率一般在110KW。
; (1)热场的概念
热场也称温度场。热系统内的温度分布状态叫热场。煅烧时,热系统内的温度分布相对稳定,称为静态热场。在单晶生长过程中,热场是会发生变化,称为动态热场。
单晶生长时,由于不断发生物相的转化(液相转化为固相),不断放出固相潜热,同时,晶体越拉越长,熔体液面不断下降,热量的传导、辐射等情况都在发生变化,所以热场是变化的,称为动态热场。;
(2)温度梯度的概念
为了描述热场中不同点的温度分布及分布状态,下面给大家介绍一个“温度梯度”这个概念。
温度梯度是指热场中某点A的温度指向周围邻近某点B的温度的变化率。也即单位距离内温度的变化率。; 如下图所示,A点到B点的温度变化为T1-T2 ,距离变化为r1-r2 。那么A点到B点的温度梯度是:
通常用 表示在 r 方向上的变化率。; 显然两点间的温度差越大,则 越大,则温度梯度越大,反之,两点间温度差越小,则 越小,则温度梯度越小,如果
说明由A点到B点温度是升高的,如果
说明由A点到B点的温度是下降的。;; 然后沿着轴线上某点沿着径向测量,发现温度是逐渐上升的,加热器中心温度最低,加热器温度最高,成抛物线变化,它的变化率称为径向温度梯度,用 表示。;(4)晶体生长时的温度梯度
单晶硅生长时,热场中存在固体、熔体两种形态。
温度梯度也有两种:
晶体中的纵向温度梯度 和径向温度梯度 。
熔体中的纵向温度梯度 和径向温度梯度 。
这是两种完全不同的温度分布,但是最能影响结晶状 态的生长界面处的温度梯度 。;晶体生长时,
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