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IC 设计流程之实现篇——全定制设计 要谈 IC 设计的流程，首先得搞清楚 IC 和 IC 设计的分类。 集成电路芯片从用途上可以分为两大类：通用 IC (如CPU DRAM/SRAM接口芯片等)和专 用 IC ( ASIC)( Application Specific Integrated Circuit )，ASIC 是特定用途的 IC。从 结构上可以分为数字IC、模拟IC和数模混合IC三种，而SOC(System On Chip，从属于 数模混合IC)则会成为IC设计的主流。从实现方法上IC设计又可以分为三种，全定制(full custom )、半定制(Semi-custom )和基于可编程器件的IC设计。全定制设计方法是指基于 晶体管级，所有器件和互连版图都用手工生成的设计方法， 这种方法比较适合大批量生产、 要求集成度高、速度快、面积小、功耗低的通用 IC或ASIC。基于门阵列(gate-array )和 标准单元( standard-cell )的半定制设计由于其成本低、周期短、芯片利用率低而适合于 小批量、速度快的芯片。最后一种IC设计方向，则是基于PLD或FPGA器件的IC设计模式， 是一种“快速原型设计” ，因其易用性和可编程性受到对 IC 制造工艺不甚熟悉的系统集成 用户的欢迎，最大的特点就是只需懂得硬件描述语言就可以使用 EDA工具写入芯片功能。 从采用的工艺可以分成双极型(bipolar) ，MOSffi其他的特殊工艺。硅(Si)基半导体工艺 中的双极型器件由于功耗大、 集成度相对低， 在近年随亚微米深亚微米工艺的的迅速发展， 在速度上对MOS管已不具优势，因而很快被集成度高，功耗低、抗干扰能力强的 MOSt所 替代。MOSFE工艺又可分为NMOSPMOSS CMO三种；其中CMO工艺发展已经十分成熟， 占据IC市场的绝大部分份额。GaAs器件因为其在高频领域(可以在 0.35um下很轻松作到 10GHZ如微波IC中的广泛应用，其特殊的工艺也得到了深入研究。而应用于视频采集领 域的CCD专感器虽然也使用IC 一样的平面工艺，但其实现和标准半导体工艺有很大不同。 在IC幵发中，常常会根据项目的要求(Specifications )、经费和EDAX具以及人力资源、 并考虑代工厂的工艺实际，采用不同的实现方法。 其实IC设计这个领域博大精深，所涉及的知识工具领域很广，本系列博文围绕EDA工具展 开，以实现方法的不同为主线， 来介绍这三种不同的设计方法： 全定制、 半定制和基于 FPGA IC 设的IC设计，这三种方法在 EDA IC 设 计方法可以让大家对IC设计有个清晰的思路，也顺便介绍了其中涉及到的大多数 EDA工具， 并且避免了读者陷入 IC 领域的某些细节中而不能一窥全貌之嫌。 其实，无论是 IC 和 ASIC， 还是I/O芯片、CPU芯片在EDA工具上的区别都不明显， 并且涉及某些应用领域的特定的知 识，需要读者具备一定的背景知识，不适合用来作为介绍 IC 的设计流程的入门级题材。 全定制 IC 设计方法，是按照规定的功能与性能要求，先设计出满足功能的电路，然后对电 路的布局与布线进行专门的优化设计，以达到芯片的最佳性能。全定制 IC 设计的主要 EDA 工具有Cade nee的Virtuoso、Syn opsys的Custom Desig ner ( CD等，这两款工具实际上 提供一个集成设计环境，在这个环境里用户可以方便地配置和利用各家 EDA的工具来完成 各个设计阶段的任务。首先来看一看它的设计基本流程(如下图) 。 图1 定义设计规格( Design Speeifieation ) 典型的设计规格书描述了电路的功能(电流放大能力、信噪比、带宽等) ，最大可容许的延 时，以及其他的物理性能，如功耗等。 通常设计规格书给予电路设计者以较大的设计自由度：如选择特定的电路拓扑结构，特定 器件的位置，输入输出 pin角的位置，MOSFE的宽长比等。 下面是一个一个全加器的规格说明书： 0.8um双井CMO工艺 “加法”“进位”的传递延时小于 1.2ns “加法”“进位”的转换时间小于 1.2ns 电路面积小于 1500 平方微米 动态功耗 1mW( VDD=5V， fmax=20MHZ) 绘制电路图 电路图绘制工具称为 Schematic Capture （下图是 Virtuoso 中的 Composer 工具），可以提 供门级和晶体管级的电路图绘制功能，该步骤完成后可以生成网表文件供电路仿真之用。 需要说明的是，各家产生的 Schematic 文件不完全兼容，要从 Synopsys 的 CD 中读入 Virtuoso 产生的电路图似乎有些困难。再有一点就是从网表反过来生成电路图这一功能在 这两家的工