TLP160JTLP260JTLP525G双向可控硅晶片的光耦基本原理及应用实例.pdf

TLP160J TLP260J TLP525G TLP160J TLP260J TLP525G 是输出端采用双向可控硅晶片的光耦，此 3 款光耦采用的是 非过零触发导通形式， 因此应用在交流电的情况下， 在交流电的任意相位， 只要收到输入的 的触发信号，输出端就会开始导通，故可以改变交流电的导通角。 TLP160J 和 TLP260J ，采用的是 SOP-4 的小封装，而 TLP525 则是采用 DIP-4 的封装， 因此他们比传统的 DIP-6 体积更小，能有效的节省 PCB 空间，减小客户产品尺寸，产品尺 寸小了， 但耐压能力却没有缩水， TLP525G 耐压达到 400V ，而 TLP160J,TLP260J 耐压更 是达到 600V 。 型号 TLP525 TLP160J TLP260J 基本参数 封装 DIP-4 SOP-4 SOP-4 触发电流 IFT 10 mA 10 mA 10 mA 耐压 VDRM 400 V 600 V 600 V 输出电流 IT 100 mA 70 mA 70 mA 开管时压降 VTM 3.0 V 2.8 V 2.8 V 基本原理 从他的基本原理图可以看出，输入端为一个 LED ，一般为 940nm 的红外线 LED ，而输出端 为一个双向可控硅，门极由光电模块取代，因此，双向可控硅的导通，由 LED 进行控制。 可控硅的 I/V 曲线如下图所示，图中横轴为电压，纵轴为电流，横轴最远的地方为他的耐压 值 VDRM ，就算 IF 不给他信号，如果他的电压超过 VDEM ，可控硅照样会导通， IF 的作 用是降低 VDRM 的值。 值得要注意的是， IFT 实际上表达的意思是使 VDRM 将到 3V 以下的电流值。 因此当我们给 LED 一定电流时，可控硅的 VDRM 会降低，比如本来耐压是 600V ，而现在 可能变成 100V ，如果可控硅两端的电压是 220V ，就算此时 IF 的电流并未达到 datasheet上 上 IFT 的值，光耦的输出端照样会被导通。 所以在使用可控硅输出光耦时， 当输出端两端的电压越是大时， 尤其要注意防止输入端的杂 讯，防止因为杂讯的出现造成在不需要的时候导通。 应用实例 可使用双向可控硅光耦去控制双向可控硅的导通， 用以驱动电机， 灯源等负载， 并且可实现 调速调光等功能。在控制与驱动领域，双向可控硅光耦应用非常广泛。