AKZM60N06
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• 175 °C Junction Temperature
VDS (V) RDS(on) () ID (A)a ®
• TrenchFET Power MOSFET
60 0.011 at VGS = 10 V 60 • Material categorization:
0.012 at VGS = 4.5 V 50
D
TO-220AB
G
S S
D
G
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Gate-Source Voltage VGS ± 20 V
T = 25 °C 60
C
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)b ID
TC = 100 °C 50a
Pulsed
您可能关注的文档
- 场效应MOS管AK6005S参数4.5A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK6007S参数7A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK6008AS参数8A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK6009AS参数9A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK6012AS参数12A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK6012CS参数12A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK603NPS参数6.3A-6A+-60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK60ND09AS参数9A60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK60P06S参数-6A-60V封装SOP-8.pdf
- 场效应MOS管AK60P07AS参数-7A-60V封装SOP-8.pdf
最近下载
- 6.1《东北地区的地理位置与自然特征》导学案_ __2025-2026学年湘教版地理八年级下册.docx VIP
- 【地 理】第七章第一节 自然特征与农业课件-2025-2026学年人教版八年级下册地理.pptx VIP
- 6.1《东北地区的地理位置与自然特征》课件__2025-2026学年湘教版地理八年级下册.pptx VIP
- 浙人美版美术八年级上册《第一单元 上下五千年》大单元教学设计.docx VIP
- 以解题反思为翼,翱翔高中数学思维天空.docx VIP
- 基于思维可视化的高中数学解题教学研究.pdf
- 贵州省锦屏县八克金矿成矿流体地球化学的分析.pdf VIP
- 基于PLC的饮料灌装生产流水线控制系统的设计论文.docx VIP
- 6.1 东北地区的地理位置与自然环境八年级地理下册 集备课件(湘教版).pptx VIP
- 6.1+东北地区的地理位置与自然环境(课件)-2023-2024学年八年级地理下学期同步课件(湘教版).pptx VIP
原创力文档

文档评论(0)