2N60A-252-251中文规格书广东奥科半导体.pdf免费

N-CHANNEL MOSFET 2N60A 2A 600V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 2A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 600V RDSON-typ(@VGS =10V) 3.5Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-252, TO-251 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 AK2N60A4 TO-251 2N60AMJ 75PCS每管 AK2N60A5-R TO-252 2N60AD 2500PCS每盘 1 / 5 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 2N60A 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参数名称 符号 单位 251/252 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续 ID 2 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM 8 A 耗散功率 PD 35 W 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 55 mJ 工作结温范围 TJ 150 °C 贮存温度范围