电磁兼容培训胶片第3章.pptxVIP

第三章 电磁屏蔽技术 屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计杨继深 2002年4月电磁屏蔽屏蔽后的场强E2屏蔽前的场强E1对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB杨继深 2002年4月实心材料屏蔽效能的计算入射波SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B＝ R＋ A＋BB场强吸收损耗AR1R2距离杨继深 2002年4月波阻抗的概念?波阻抗电场为主 E ? 1/ r3 H ? 1 / r2E/H平面波 E ? 1/ r H ? 1/ r377磁场为主 H ? 1/ r3 E ? 1/ r2?/ 2?到观测点距离 r杨继深 2002年4月吸收损耗的计算?0.37E0入射电磁波E0剩余电磁波E1E1 = E0e-t/?t A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB A ＝ 8.69 ( t / ? ) dBA = 3.34 t ? f ?r?rdB杨继深 2002年4月趋肤深度举例杨继深 2002年4月反射损耗远场：377?ZW近场：取决于源的阻抗 R ＝ 20 lg4 ZsZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r同一种材料的阻抗随频率变反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。杨继深 2002年4月不同电磁波的反射损耗377远场: R ＝ 20 lg4 Zs4500dB电场: R ＝ 20 lgD f Zs 2 D f磁场: R ＝ 20 lgZsZs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m）f = 电磁波的频率（MHz）杨继深 2002年4月影响反射损耗的因素R(dB)靠近辐射源 电场r = 1 mr = 30 m150平面波r = 30 m磁场 r = 1 m靠近辐射源 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100Mf3? 108 / 2?r杨继深 2002年4月综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)屏蔽效能（dB）250电场波 r = 0.5 m高频时电磁波种类的影响很小平面波150磁场波 r = 0.5 m0频率0.1k 1k 10k 100k 1M 10M杨继深 2002年4月怎样屏蔽低频磁场？低频吸收损耗小低频磁场反射损耗小磁场高导电材料高导电材料高导磁材料杨继深 2002年4月良好电磁屏蔽的关键因素没有穿过屏蔽体的导体屏蔽体导电连续不要忘记：选择适当的屏蔽材料你知道吗：与屏蔽体接地与否无关屏蔽效能高的屏蔽体杨继深 2002年4月实际屏蔽体的问题实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等电源线缝隙通风口显示窗键盘调节旋钮指示灯电缆插座杨继深 2002年4月远场区孔洞的屏蔽效能?HLLSE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L ? ? / 2杨继深 2002年4月孔洞在近场区的屏蔽效能若ZC ? （7.9/Df）：（说明是电场源）SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f + 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) )若ZC ?（7.9/Df）：（说明是磁场源）SE = 20lg ( ?D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ) （注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）杨继深 2002年4月缝隙的泄漏低频起主要作用高频起主要作用杨继深 2002年4月缝隙的处理电磁密封衬垫缝隙杨继深 2002年4月电磁密封衬垫的种类 金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的)导电橡胶(不同导电填充物的)指形簧片(不同表面涂覆层的)螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的)导电布杨继深 2002年4月指形簧片杨继深 2002年4月螺旋管电磁密封衬垫杨继深 2002年4月电磁密封衬垫的主要参数 屏蔽效能 (关系到总体屏蔽效能) 回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距） 最小密封压力（关系到最小压缩量）最大形变量（关系到最大压缩量） 压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数） 电化学相容性（关系到屏蔽效能的稳定性）杨继深 2002年4月电磁密封衬垫的安装方法绝缘漆环境密封杨继深 2002年4月截止波导管损耗截止频率截止区fc频率频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗很