新型光电子材料 .pptxVIP

光电信息功能材料研究进展 ; 一、引言：21世纪是高度信息化的社会; 2.1 硅微电子技术发展趋势 硅（Si）材料作为当前微电子技术的基础，预计到本世纪中叶都不会改变。 从提高硅集成电路（ICs）性能价格比来看，增大直拉硅单晶的直径，仍是今后硅单晶发展的大趋势。硅ICs工艺由8英寸向12英寸的过渡将在近年内完成。预计2016年前后，18英寸的硅片将投入生产。 从进一步缩小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的超高纯、大直径和无缺陷硅外延片会成为硅材料发展的主流。; 到2016年，Si基CMOS器件特征尺寸小到30nm,硅晶片直径将达450mm，我国与先进国家差距约8年！; ? 根据国际半导体工业协会预测，2016年大多数已知的硅CMOS技术将接近或达到它的”极限”,这时硅ICs技术的特征线宽将达到20纳米左右, 摩尔定律将受到挑战。 ? 为此，人们在积极探索基于全新原理的量子计算、分子计算和DNA生物计算等同时，更寄希望于发展新材料和新技术，以求进一步提高硅基集成芯片的运算速度和功能。 ;? 其中,寻找高K材料, 低K互连材料和Cu引线,以及系统集成芯片(SOC)技术; 采用绝缘体上半导体（SOI）材料和GeSi/Si等应变硅技术等, 是目前硅基ICs发展的另一个重要方向。 ? 为满足人类不断增