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6.2 半导体二极管一、结构和符号二、伏安特性和主要参数三、等效模型四、稳压二极管五、例题精选六、小结与思考一、半导体二极管的结构和符号负极正极N型硅1、半导体二极管的结构二极管的结构和符号面接触型点接触型平面型整流管高频检波和小功率整流大功率整流、开关管实际的半导体二极管实际的半导体二极管正极负极二极管符号2、半导体二极管的符号负极正极ID/mAUD/V二、伏安特性和主要参数温度升高二极管的主要特性:单向导电性温度降低Uon由于管子体电阻和引线电阻的影响，正向电流小于PN结电流由于二极管表面漏电流的存在，反向电流大于PN结电流ID/mAUonUD/VU（BR）二、伏安特性和主要参数最大整流电流IF最大反向工作电压UR反向电流IR最高工作频率fM是指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。指管子未击穿时的反向电流。此值越小，二极管的单向导电性越好 。当二极管的反向电压超过此值时，管子可能会因反向击穿而损坏。通常UR为二极管反向击穿电压U (BR)的一半。指二极管正常工作的上限频率。超过此值，由于二极管结电容的作用，二极管的单向导电性将遭到破坏。 1. 正向特性 二极管两端不加电压时，其电流为零，故特性曲线从坐标原点开始，如图。当外加正向电压时，二极管内有正向电流通过。正向电压较小，且小于Uon时，外电场不足以克服内电场，故多数载流子的扩散运动仍受较大阻碍，二极管的正向电流很小，此时二极管工作于死区，称Uon为死区的开启电压。硅管的Uon约为0.5 V，锗管约为0.2 V。当正向电压超过Uon后，内电场被大大削弱，电流将随正向电压的增大按指数规律增大，二极管呈现出很小的电阻。硅管的正向导通电压为0.6～0.8 V（常取0.7 V），锗管为0.1～0.3 V。2. 反向特性 当外加反向电压时，外电场和内电场方向相同，阻碍扩散运动进行，有利于漂移运动。二极管中由少子形成反向电流。反向电压增大时，反向电流随着稍有增加，当反向电压大到一定程度时，反向电流将基本不变，即达到饱和，因而称该反向电流为反向饱和电流，用IS表示。通常硅管的IS可达10-9A数量级，锗管为10-6A数量级。反向饱和电流越小，管子的单向导电性越好。 当反向电压增大到图中的UBR时，在外部强电场作用下，少子的数目会急剧增加，因而使得反向电流急剧增大。这种现象称为反向击穿，电压UBR称为反向击穿电压。各类二极管的反向击穿电压大小不同，通常为几十到几百伏，最高可达300伏以上。PN结被击穿后，常因功耗过大而造成永久性的损坏。 需要指出的是，有时为了分析方便，将二极管理想化，忽略其正向导通电压和反向饱和电流。对于理想二极管，认为正偏导通时相当于开关闭合，反偏截止时相当于开关断开。ID/mAUon1K三、等效模型理想模型ID/mAUon1K三、等效模型恒压降模型ID/mAUon1K三、等效模型折线模型ID/mA?IDUon?UD三、等效模型Q微变等效模型ID/mA?IDUon?UDQ动态电阻rd还可利用二极管的电流方程求得：取ID对UD的微分，得微变电导 在室温（T=300K）时 式中：ID——静态工作点Q的电流。提示： 本题考查是否掌握二极管工作状态的判断方法。 例：由二极管组成的开关电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定电路的输出电压Uo（设二极管是理想二极管）。答案：U0=0先假设两个二极管都断开，VD2优先导通I_+UZOUIZmin四、稳压二极管稳定电压UZ稳定电流IDZ额定功耗PZM动态电阻rz温度系数α? IZ? UZIZmaxNP例 下图所示是利用稳压管组成的稳压电路。其中U I为未经稳定的直流输入电压，R为限流电阻，UO为稳压电路的输出电压。试分析此电路的稳压原理。稳压管稳压电路 解： 使UO不稳定的原因有两个：一是U I的变化， 另一个是负载电阻RL的变化。下面分析当这两个因素变化时，电路是如何稳定输出电压的。 U I不稳定时，设UI增加，这将使UO有增加的趋势，但UO增加使稳压管两端反向电压UZ增加。由于稳压管动态电阻极小，所以将使流过管子的电流IZ大大增加，限流电阻R上的电流IR = IZ + IL也跟着大大增加，限流电阻上的压降IRR也增加，其结果是UI的增加量绝大部分降在限流电阻R上，从而使输出电压基本维持恒定。 当RL变化时，设RL减小，这将使UO有降低的趋势，但UO减小使稳压管两端反向电压UZ减小。由于稳压管动态电阻极小，所以将使流过稳压管的电流IZ大大减小，限流电阻R上的电流IR = IZ + IL也跟着大大减小，其结果是限流电阻R上的电压减小，补偿了UO的下降，使输出电压UO几乎不减小，稳定在UZ的数值。注：二极管必须工作在反向击穿区六、小结与思考从使用的角度出发掌握二极管和稳压管的外特性和主要参数是本章重点；如何判断