西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心制作.pptx

1.7 电力电子器件器件的保护 ;1.7 电力电子器件器件的保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.1 过电压的产生及过电压保护;1.7.2 过电流保护;1.7.2 过电流保护;1.7.2 过电流保护;1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit）;1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit）;1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit）;1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit）;1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit）;1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用 ;1.8.1 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿 ;1.8.1 晶闸管的串联;1.8.1 晶闸管的串联;1.8.2 晶闸管的并联;1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点;本章小结;本章小结;本章小结;图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成;图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号;图1-3 PN结的形成;图1-4 电力二极管的伏安特性;图1-5 电力二极管的动态过程波形;图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号;图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理;图1-8 晶闸管的伏安特性;图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形 ;图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性;图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性;图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 ;图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号;图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形;图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动;图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性;图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形;图1-18 GTR的安全工作区;图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号;图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性;图1-21 电力MOSFET的开关过程;图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号;图1-23 IGBT的转移特性和输出特性;?图1-24 IGBT的开关过程 ;图1-25 光耦合器的类型及接法;图1-26　理想的晶闸管触发脉冲电流波形;图1-27 常见的晶闸管触发电路 ;图1-28　推荐的GTO门极电压电流波形 ;图1-29　典型的直接耦合式GTO驱动电路 ;图1-30　理想的GTR基极驱动电流波形 ;图1-31　GTR的一种驱动电路;图1-32　电力MOSFET的一种驱动电路 ;图1-33　M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 ;图1-34　过电压抑制措施及配置位置;图1-35　RC过电压抑制电路联结方式;图1-36　反向阻断式过电压抑制用RC电路 ;图1-37　过电流保护措施及配置位置 ;图1-38　di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形;图1-39　关断时的负载线 ;图1-40　另外两种常用的缓冲电路;图1-41　晶闸管的串联;图1-42　电力电子器件分类“树”