磁学基础知识论述.pptxVIP

第一章 磁学基础知识; 在不同的磁化条件下，磁导率有不同的表达形式; (3)复数磁导率 ; (5)可逆磁导率?rev ; (8)总磁导率?tot ;1.2 磁性和磁性材料的分类;1.2.2 磁性材料分类;Ni单晶的磁化曲线;一、磁晶各向异性能;(1) 立方晶系;(2) 六角晶系;求法：磁体在磁晶各向异性等效场中的磁场能＝磁晶各向异性能??等效场;三、磁晶各向异性起源;磁晶各向异性来源模型;1.3.2 磁致伸缩;?的大小与H的大小有关;*同种单晶体在不同晶轴方向磁化时的磁致伸缩系数是不相同的，即单晶体的磁致伸缩具有各向异性。;*通过对材料施加拉应力或压应力，能引起材料的磁性能变化，即所谓的压磁效应，这是磁致伸缩的逆效应。;;1.4 磁畴结构;布洛赫壁结构;奈尔壁结构;*另一种分类方法：根据畴壁两侧磁畴的自发磁化方向间的关系，将畴壁分为180o畴壁和90o畴壁。夹角是180o时，称为前者；其他的称为后者。;*单畴颗粒不会有畴壁位移磁化过程，只有磁畴转动磁化过程，因此磁化和退磁都比较困难。;二、磁泡;*H=0时，自发磁化?条状磁畴;*磁泡产生的退磁场Hd与薄片的磁化方向相同，其作用是使磁泡退磁。为克服退磁作用，须有一数值较大、方向与Hd相反的磁场，才能保证磁泡稳定的存在。该磁场便是材料的单轴各向异性等效场HK。;*磁泡体积小，并能高速转移，用它作为计算机中的存储器或传输和逻辑器件，将会在很大程度上增加存储量，提高计算速度。;*技术磁化：铁磁体在外场作用下通过磁畴转动和畴壁位移实现宏观磁化的过程;*当H改变?H时，MH的改变为;*对一种磁性材料，磁化过程以一种或几种机制为主，不一定包括全部的四种机制。 软磁材料：畴壁位移磁化为主 单畴颗粒材料：仅存在单纯畴转磁化过程;;*实际上，在一定的外场下，畴壁位移的距离是有限的。 原因：材料内部存在着阻碍畴壁运动的阻力，阻力主要来源于铁磁体内部的不均匀性，主要是铁磁体内部存在有内应力的起伏分布和组分的不均匀分布，如杂质、气孔和非磁性相等。;*物理意义：畴壁位移磁化过程中磁位能的降低与铁磁体内能的增加相等。;180o畴壁的起始磁化率:;二、含杂模型;*小结：畴壁位移磁化过程中影响起始磁导率的因素有 (1) 材料的MS，MS越大，?i越高； (2) 材料的K1和?S，K1和?S越小，?i越高； (3) 材料的内应力?，材料内部的晶体结构越完整均匀，产生的内应力越小，?i越高； (4) 材料内的杂质浓度?，?越低，畴壁位移磁化过程决定的?i越高。;180o畴壁的不可逆畴壁位移模型;H0时，畴壁开始移动，磁场能下降，畴壁能增加，二者平衡;1.5.4 可逆磁畴转动磁化过程;一、由磁晶各向异性控制的可逆畴转磁化;*实际中材料内部往往同时存在磁晶各向异性能和磁弹性能，这些因素都会对磁畴转动构成阻力。;1.5.5 不可逆磁畴转动磁化过程;;*从能量角度;1.6 动态磁化;?在相同的磁场强度范围内，动态磁滞回线的面积比静态磁滞回线的面积要大些。 原因：回线面积等于磁化一周所损耗的能量。 静态?仅有磁滞损耗；动态?磁滞损耗、涡流损耗、剩余损耗。;;?动态磁滞回线的形状与交变磁场的峰值Hm以及频率有关。实验表明，当交变磁场强度减小或增加交变磁场频率时，动态磁滞回线的形状将逐渐趋近于椭圆。;*随频率的增大，动态磁滞回线逐渐变为椭圆形状。因此对于通常使用的弱场高频条件，可用椭圆形状来近似地表示铁磁材料的动态磁滞回线。;;*磁化的时间效应表现为以下几种不同的现象：;;1.6.2 动态磁性参数;复数磁化率;*当f=fr时，??达到最大值，损耗最大，此时材料无法使用，所以一般软磁材料的工作频率应选择低于它的截止频率。;3、品质因数Q;*或用tan?/??表示，称为软磁材料的比损耗系数，反映材料的相对损耗大小。;*在低频、弱场（B0.01T）条件下，磁损耗为：;*涡流不能象导线中的电流那样输送出去，仅使磁芯发热造成能量损耗。;2、磁滞损耗;*有些材料在经过动态磁中性化后，其起始磁导率随时间而降低，最后达到稳定值，这种现象称为磁导率的减落，它是磁后效的一种表现形式。;Thank you!