模拟电子技术基础知识汇总.docx

模拟电子技术 第一章半导体二极管 一 . 半导体的根底知识 1. 半导体 ---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 2. 特性 ---光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体 ---- 纯洁的具有单晶体构造的半导体。 (如硅 Si、锗 Ge)。 4. 两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕 。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕 。 6. 杂质半导体的特性 * 载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 * 体电阻 ---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 * 转型 ---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差 * PN 结的单向导电性 8. PN 结的伏安特性 ---硅材料约为 0.6~0.8V ，锗材料约为 0.2~0.3V 。 ---正偏导通，反偏截止。 二 . 半导体二极管 * 单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。 * 二极管伏安特性 ---- 同ＰＮ结。 * 正向导通压降 ------ 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。 * 死区电压 ------ 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 3. 分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的上下 : 假设 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 (短路 ); 假设 V 阳 V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路 )。 1 〕图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 . .zl 2) 等效电路法 ? 直流等效电路法 * 总的解题手段 ---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的上下 : 假设 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通 (短路 ); 假设 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止 (开路 )。 * 三种模型 ? 微变等效电路法 三 . 稳压二极管及其稳压电路 * 稳压二极管的特性 ---正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连 接。 第二章三极管及其根本放大电路 一 . 三极管的构造、类型及特点 1. 类型 ---分为 NPN 和 PNP 两种。 2. 特点 ---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 . .zl 二 . 三极管的工作原理 1. 三极管的三种根本组态 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (说明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 * 输入特性曲线 --- 同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用 UCES 表示 放大区 ---发射结正偏，集电结反偏。 截止区 ---发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 ICBO、 ICEO、 IC 以及 β均增加。 三 . 低频小信号等效模型〔简化〕 hie---输出端交流短路时的输入电阻， 常用 rbe 表示； hfe--- 输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示； 四 . 根