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无机材料科学基础自测题3晶体结构与缺陷 第3章 晶体结构与晶体缺陷 一、选择题 1、金红石晶体中，所有O2-作稍有变形的立方密堆排列，Ti4+填充了（ d）。 A 全部四面体空隙 B全部八面体空隙 C 1/2四面体空隙 D 1/2八面体空隙 2、SiO2晶体中有（ a）种晶型之间的转变属于重建型转变 A 3 B 4 C 5 3、萤石（CaF2）结构中[CaF8]立方体之间是（ B ）相连的。 A 共顶 B 共棱 C 共面 4、滑石（3MgO?4SiO2?H2O）和高岭土（Al2O3?2SiO2?2H2O）分别属于（ b ）层状结构的硅酸盐矿物。 A 1：1和2：1 B 2：1和1：1 C3：1 和2：1 5、（ c ）相同是形成连续固溶体的必要条件。 A 离子大小 B 极化性质 C 晶体结构 6、Fe1-xO是由于存在（ B ）而形成非化学计量化合物。 A 间隙原子 B 负离子过剩 C 正离子过剩 7、非化学计量化合物MO2-x中存在氧空位，在电场作用下形成（ c ）。 A 绝缘体 B 孔穴导电 C 电子导电 8、如果减少周围氧气的分压，Zn1+xO的密度将（ b ）。 A 变小 B 增大 C 不变 9、在UO2晶体中，O2-的扩散是按（C ）机制进行的。 A 搀杂点缺陷 B 空位 C 间隙 10、TiO2在还原气氛中可形成（ ）型非计量化合物。 A 阳离子填隙 B 阳离子空位 C 阴离子填隙 D阴离子空位 11、TiO2在还原气氛中可形成（ ）型半导体。 A p型 B n型 12、若有一个变价金属氧化物XO，在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，其中金属元素X与氧原子数之比为X：O=1.1：1，则其化学式应为（ ）。 A X1.1O B XO0.90 C XO0.91 D XO1.1 二、判断题 1、MgO不可以生成填隙型固溶体（ ）。 2、热起伏可以使离子晶体中生成肖特基缺陷（ ）。 3、置换型固溶体有可能是连续固溶体（ ）。 4、晶体的位移型转变通常是很快的晶型转变（ ）。 4+4+4+ 5、硅酸盐晶体结构特点之一是Si 与Si成键，Si与O2-成键（ ）。 6、晶界是多晶体中由于晶粒取向相同而形成的（ ）。 7、外来的杂质原子进入晶体中八面体空隙位置后形成置换型固溶体（ ）。 8、间隙位原子比正常格点原子能量低（ ）。 9、螺位错的位错线平行于滑移方向（ ）。 10、非化学计量化合物中缺陷浓度和其他晶体中的缺陷浓度之间的最大不同就是与气氛有关（ ）。 三、填空题 1、在AB2O4型尖晶石结构中，若以氧离子作立方紧密堆积排列，在正尖晶石结构中，A离子占有（ ）空隙，B离子占有（ ）空隙，而在反尖晶石结构中，A离子占有（ ）空隙，B离子占有（ ）空隙。 2、晶体的热缺陷有（ ）和（ ）两类，热缺陷浓度与温度的关 系式为（ ）。 3、钠长石Na（AlSi3O8）与钙长石Ca（Al2Si2O8）可形成（ ）型固溶体，其中（ ）和（ ）可相互取代。 4、（ ）的位错称为刃位错，可用符号（ ）表示；（ ）b与位错线b与位错线的位错称为螺位错，可用符号（ ）表示。 5、为了使MgF2能溶于LiF中，则必须向MgF2中引入（ ）空位，相反，若要使LiF能溶于MgF2中，则必须向LiF中引入（ ）空位。 6、形成连续固溶体的条件是（ ）、（ ）和（ ）。 7、在NaCl晶体中，Na+占据（ ）位置。 8、按照电价规则，在镁橄榄石Mg2SiO4 中每个Mg2+ 的静电键强度为（ ），每个4+ Si的静电键强度为（ ）。每个氧离子受到