模拟电路期末复习(填空_判断).pdfVIP

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  • 2021-10-16 发布于河北
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一、填空(本题共 10 分,每空 2 分) 1.在常温下, 硅二极管的门槛电压约为 0.5V ,导通后在较大电流下的正向压降 约为 0.7V ;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ,导通后在较大电流下的正向压降 约为_0.3_V 。 2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。PN结外加正向电压时, 扩散电流 大于 漂移电流,耗尽

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