模拟电子技术试题与答案.docx

A．差模输入电压为B．差模输入电压为 C．差模输入电压为 D．差模输入电压为uI=20mV ，则电路 A．差模输入电压为 B．差模输入电压为 C．差模输入电压为 D．差模输入电压为 uI=20mV ，则电路 () 。 10mV。 20mV。 10mV。 20mV。 的 V1 的 ____ 。 __倍， () 。 ____偏置，集电结为 ____偏置。 _____偏置；工作在饱和区时发射 特性是 练习一 一、填 空 (1 6 分) 1．半导体二极管的主要 __________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为 结为 ___偏置，集电结为 3．当输入信号频率为 fL 和 fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 或者是下降了 __dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 4．为提高放大电路输入电阻 ___反馈；为降低放大电路输出电阻， _____反馈。 应引入 应引入 5．乙类功率放大电路中， 体管静态电流 功放晶 ICQ=____、静态时的电源 功耗 但这种功 ______失真。 放有 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整 管必须工作在 二、选择正确答案 填空 (2 4 分) PDC=______。这类功放的能量转换效率在理想 情况下， _____可达到 ， _____ ____区域。 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 A． NPN型硅管 B． NPN型锗管 C． PNP型硅管 D． PNP型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为 () 。 A． P 沟道增强型 MOS管 B． P 沟道结型场效应管 C． N沟道增强型 D． N沟道耗尽型 MOS管 MOS管 3．在图示 2 差分放大 电路中，若 10mV，共模输入电压为 10mV，共模输入电压为 20mV，共模输入电压为 20mV，共模输入电压为 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 () 。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 0V， -10V， -9.3V ，则这只三极管是 () 。 D ．电压放大倍数大 5．在图示电 路中 A．减 C，减 小 小 ,R i RiB 为其输入电 阻， ．减 小 C，增 大 RS为常数，为使下限 频率 Ri f L 降低， 应 () 。 C．增 C，减 大 小 RiD ．增 大 6 ．如图所示复合管， 已知 A． 1500B． 80C． 50D． 30 C，增 大 Ri b1=30 ， V2 的 b2=50 ，则复合 后的 b约为 () 。 7． RC桥式正弦波振荡电路由两部分 , 即 RC串并联选频网 电路组成 络和 A．基本共射放大 B．基本共集放大电路 电路 C．反相比例运算 D．同相比例运算电路 电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该 电路可能是 () 。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数： V1 的 b1 、 rbe1， V2 的 b2 、 rbe2 ，电容 C1、 C2、 CE在交流通路中可视为短 专业资料整理 WOR式 路。 1．分别指出 V1、 V2 的电路组态； 2．画出图示电路简化的 H 参数微变等效电路；