(完整版)模拟电子技术期中试卷(一).doc

模拟电子技术期中试卷（一） 、选择题。 （每题3分，共36分） 1. 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。 A. 掺杂工艺 B.温度 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 2. 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图所示，已量出 h 1.2mA, 12 0.02mA, I3 1.22mA由此可知对应电极①是 A.发射 B. 基极 C. 集电 D. 不定 ① 3. 晶体三极管 用来放大时,应使发射结处于 偏置,集电结处于 偏置. A.正向，反向 B.反向,正向 C.反向，反向 D.不定 4. 如果在电路中测出某NPN管三个电极对地电位分别 为:Ve 1.0V;Vb 1.65V;Vc 1.3V,则该管工作在 区。 A.放大 B. 饱和 C. 截止 D. 击穿 5. PNP型晶体三极管处于放大状态时，各级电位关系正确的是 。 A. VcVbVe B. VeVcVb C.VcVbVe D. VcVeVb 6. 在图示电路中，设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计，当输入f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察Vi和Vo,则二者的相位关系为 。 A. 相差90o B. 相差45o C. 相同 D. 相差180o 7. 为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用 。 A •共射电路 B.差动放大电路 C. OCL电路（互补对称电路） D.共集电路 8. 在放大器中引入直流负反馈，说法正确的是 o A.稳定输出电压 B.稳定输出电流 C.性能不变 D.静态工作点稳定性变好 9. 射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（ ） A. 电压放大倍数近似为1 B.门很大 C. ro很小 10. PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压， o A .其反向电流增大 B.其反向电流减小 C.其反向电流基本不变 11. 由理想二级管组成的电路如图所示，其 A B两端的电压为 A.-12V B.+6V C.-6V D.+12V D泊 扎 —6V 12. 在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应 A. 适当提高电源电压 B. 适当增加负载电阻Rl的阻值 C. 适当减小功放管静态参数U BE D. 适当增大功放管静态参数U BE 、填空题。 （每空2分，共12分） 1. 简单的差分放大器双端输出时，对（ ）信号有较强的抑制能力， 而对（ ）信号有较强的放大作用。 2. 某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰一峰值分别为 5 卩A和5 mA输出端接2k Q电阻负载，测量到正弦电压信号峰一峰值1V, 则 Av（ ）A i（ ）Ap（ ） ; 3. 零点漂移产生的因素很多，其中以（ ） 变化所引起的漂移最为严 重。、分析判断下列各电路能否正常放大。(每题3分，共6分) Rbi=33 K Q ,Rb2=10 K Q ,Rl=5.1 K Q , B =66。 试求：（1）静态值Ib、lc和UCe； (2)计算电压放大倍数Au ； (3)空载时的电压放大倍数Au0 ； 六、差分电路如图所示，已知 Vcc=V=15VR=2k,Rc = R_= 10k, Ti, T2管的B =100,r be=3.8k Q 1. 估算T2管的静态工作点l CQ2VCEQ2 2. 估算共模抑制比Kcmr (10分) FC 七、由电流源组成的电流放大器如图所示，试估算电流放大倍数 A=lo/I i （6分） 八、已知如图：Vcc =12V, RB=100kQ, Rw=400KQ, Rc=4KQ, B = 3 7 .5 当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 ） （5分）