微电子器件(54)-课件.pptxVIP

5.4 MOSFET 的亚阈区导电; 定义：使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB ，能带弯曲量为 q?FB，表面处于 本征状态。; 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只计入扩散电流而忽略漂移电流。; 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为; 将 n(0)、n(L) 和 b 代入 IDsub 中，得; 由于 ?FB ?S 2?FB ，CD(?S ) 中的 ?S ???取为 1.5?FB 。; 1、IDsub 与 VGS 的关系 当 VGS = VT 时 IDsub ≠ 0，IDsub 与 VGS 之间为指数关系。; 定义亚阈区栅源电压摆幅 S 为亚阈区转移特性斜率的倒数，即; 1、联立方程法; 2、 法; 但此法的误差较大，特别是对 值不同而其它方面全部相同的 MOSFET 会测出不同的 VT 值。