(完整word版)光电池原理应用及发展前景.docVIP

微电子学 作业 课题名称：光电池  光电池 一、光生伏特效应 当用适当波长的光照射非均匀半导体 （PN结等）时，由于内建场的作用（不加外电场） 半导体内部结区两侧产生电动势（光生电压） ，如将PN结外部短路，则会出现电流（光生 电流）。这种由于光照引起的物质内部的电场的变化也称光电效应，为了与引起光电子发射 的光电效应有所区别，也叫内光电效应。在技术领域通常把上述现象称为光生伏特效应 C 1. PN结的光生伏特效应 设入射光垂直PN结面。如结较浅，光子将进入 PN结区，甚至更深入到半导体内部。 能量大于禁带宽度的光子，由本征吸收在结的两边产生电子一空穴对。 在光激发下多数载流 子浓度一般改变很小，而少数载流子浓度却变化很大， 因此应主要研究光生少数载流子的运 动。 由于PN结势垒区内存在较强的内建场 （自N区指向P区），结两边的光生少数载流子 受该场的作用，各自向相反方向运动： P区的电子穿过PN结进入N区；N区的空穴进入 P 区，使P端电势升高，N端电势降低，于是在 PN结两端形成了光生电动势，这就是 PN结 的光生伏特效应。由于光照产生的载流子各自向相反方向运动，从而在 PN结内部形成自N 区向P区的光生电流Il见下图（b）。  （b）光照激发 图1 PN结能带图 由于光照在PN结两端产生光生电动势，相当于在 PN结两端加正向电压 V,使势垒降 低为qVD — qV，