模拟电子技术基础期末试题(填空选择复习题).pdfVIP

. 填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为 _ 0.1 _V， 导通后在较大电流下的正向压降约为 _ 0.2 _V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必 须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其 技术，称为 模拟 电子技术。 6、 PN结反向偏置时， PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为