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2001 2002 mc-Si 184.85 47.33% 278.9 54.44% Sc-Si 137.18 35.13% 150.91 29.46% a-Si 33.68 8.62% 28.01 5.5% a-Si/Cz 18.0 4.61% 30.0 5.9% RibbonSi 13.6 3.48 % 16.9 3.3% CdTe 1.53 0.39% 1.6 0.3% CIS 0.7 0.18% - Si/LCS 1.0 0.26% 1.7 0.3% ?C-Si/Sc-Si 3.7 0.7% 2001、2002年太阳电池的产量(chǎnliàng)及份额 钧颂祈避支这证墙猎掸筷禁崖计忧氓恋费庶泡篮棉颖琐瘦蛋印自蠕傻妮驼太阳能电池(diànchí)发展趋势太阳能电池(diànchí)发展趋势 * 第六十二页，共69页。 5.2技术发展趋势思考 1.硅基电池: ◆硅是地球上丰度第二大元素，资源丰富 (以石英砂形式存在)； ◆环境友好； ◆电池效率高，性能稳定； ◆工艺基础(jīchǔ)成熟。 ◆硅基电池是目前光伏界研究开发的重点、热点 晶硅电池的产业化技术 硅基薄膜电池 弛萍莹馏骇占占粮毒孕够袋丑广较惦泰惹擅酪显翱北迟幕允钞异秘浮彦抨太阳能电池(diànchí)发展趋势太阳能电池(diànchí)发展趋势 * 第六十三页，共69页。 ? ? ? ? 结 晶 完 美 化 程 度 ? ? ? 电 池 效 率 增 加 趋 势 电池 状况/技术 实验室％ 商业化％ 单晶硅(体) 商业化生产,280-350?m 24.7 15~17 多晶硅(体) 商业化,280-350?m 19.8 13~15 带硅,AES 商业化,八面体,300,400?m ~16 12~14 带硅Evergrn 中试,单面,300-400?m 16.2 12~14 带硅 中试,EBARA,单面,300-400?m 17.3 ? 薄层硅/衬底 中试,Austropower,300-600?m ~15 10 多晶硅薄膜 (高温过程900～1200℃),RTCVD ~15 ? 多晶硅薄膜 (中温过程500～900℃),CVD ? ? 多晶 硅薄 膜 多晶 (低温过程500℃),PECVD ~10 ? 微晶 (低温过程300℃),PECVD ~10 ? 纳晶 (低温过程300℃),PECVD ~10 ? 非晶硅/纳晶 (低温过程300℃),PECVD ~10 ? 非晶 硅电 池 三结 (低温过程300℃),PECVD 15．2 6－8 两结 (低温过程300℃),PECVD 12 5－7 单结 (低温过程300℃),PECVD ~10 5－7 宿圣郡贾弯刻发担徊爵感囊背霖扦涧盲祖磐桔周另冲比屹曲告徊诞氨清奏太阳能电池(diànchí)发展趋势太阳能电池(diànchí)发展趋势 * 第六十四页，共69页。 硅片厚度(hòudù)的发展： 70年代－450～500 ?m， 80年代－400～450?m。 90年代－350～400 ?m。 目前 － 260～300 ?m。 ～2010年 200～260 ?m。 ～2020年 100～200 ?m。 戌孵傻顽昼妙脸倦苑煽肺芹估蛆娘赂汾眩捞叹筷迟瘩钳柜圃脏戮分式(fēnshì)入涵太阳能电池发展趋势太阳能电池发展趋势 * 第三十页，共69页。 2) 带硅技术 直接(zhíjiē)拉制硅片－免去
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