RJ45网口变压器工作原理及设计指南.ppt

差分模式 不是EMI直接的原因 也是辐射的源，通过一些转换机制，将一部分差模信号转换成共模信号 保持信号线的平衡，对称，阻抗匹配以及合理端接是非常重要的。例如，只有几pF的不平衡就会引起很明显的差模——共模转换，增加串扰和EMI问题。 混合差模/共模模式 采用75ohm端接电阻，如图。 此电阻提供差分线对之间150ohm的端接，主要用于混合模式信号的阻抗匹配。高压电容CHV将线缆终端连接到GND改善EMI。由于有电阻，接线电感以及其它的限制，这并不是一个接地的低阻抗路径。 共模信号 是引起EMI的最直接原因，产生的原因包括： 不平衡（阻抗，幅值，时间，dv/dt） 串扰 非理参考面（地弹，参考面与机壳间的射频电压） 75ohm端接的共模阻抗 对于EMI的改善，最好在线缆的终端通过一个低阻抗直接连接到机壳上。 75ohm端接对于共模信号是否是一个低阻抗？ 75ohm端接对于阻抗匹配更好还是对于共模抑制更好？ 一般变压器的配置 两线共模电感位于PHY侧：这种配置不适于电流驱动型的收发器，这种类型的收发器TX输出功率是由中心抽头处连接的电源提供的，后边详细介绍。 需要注意GND≠0V 一对线的共模模式简化图 共模模式的参数 ZCMC：共模电感的阻抗，通过对共模电流提供高阻抗抑制EMI，设计目的是获得最大的LCMC和RCMC。 CCMC：共模电感的分布电容，减弱共模电感的高频性能。可以通过减小线圈间的重合减小此电容容值，特别是整个线圈两端之间的距离。靠近传导的结构也会明显影响这个电容的容值。 共模模式的参数 典型的共模电感阻抗是磁芯材料， 形状，绕线圈数和CCMC的函数。为了在特定频率范围获得高的阻抗，在其它频段一般会有低的阻抗。 共模阻抗会随着磁饱和而降低，这在以下两种情况中特别重要： 一是有POE功能时，直流电流会使 磁芯饱和 二是暴露的UTP耦合到强电压和电 流，如暴露在高强度的EMI下。 共模模式的参数 不平衡的中心抽头（PHY侧）：用△L1来描述线圈两边的不平衡。对于理想变压器，中心抽头在线圈的中间， △L1 =0. 中心抽头不平衡产生的两个影响： 一是△L1随着频率增加阻抗增加， 限制了通过中心抽头减小共 模电流的作用 二是对于差分信号差生不平衡的影响，引起差模-共模以及共 模-差模转换。这会增加辐射和敏感度。 共模模式的参数 中心抽头连接电感L1，增加中心抽头连接阻抗，主要决定于布线的情况。不会在中心抽头处产生信号间转换，但明显降低了100MHz以上的共模抑制性能。 此电感典型值是10nH 共模模式的参数 中心抽头电容容值：如果容值用0.1uF，与10nH串联电感在5MHz发生谐振。在谐振频率以上，中心抽头连接的阻抗主要体现为感性。使用不同的中心抽头电容可以获得不同的谐振频率，但最好保证感值L最小。 共模模式的参数 初次级线圈间电容，为了消弱变压器的共模传输性能，应该尽可能减小此电容容值。但不幸的是，在EMC所关心的频率范围内，很难保证此容值足够小而提供有效地共模抑制。 线缆侧中心抽头电容的不平衡，与之前△L1类似，也有差模转共模和增加阻抗的影响。 共模模式的参数 线缆侧中心抽头连接电感LC2：中心抽头连接到RCM和高压电容处连线的寄生电感用LC2代替。但很难保证LC2的低阻抗 共模模式的参数 高压电容：四个端接电阻共用一个高压电容，高耐压的需求限制了固定封装下容值的可选范围，典型应用的电容是1nF/2000V的陶瓷电容。 差模/共模端接电阻：75ohm的端接电阻是混合差模/共模信号的端接，它也增加了线缆侧中心抽头连接处的阻抗。 共模模式的参数 2线共模电感在PHY侧变压器模式的总结： 这种配置对于PHY产生的低频共模噪声有很好的抑制作用 共模电感和中心抽头电容一起提供了有效的低频滤波 在寄生参数CCMC，△L1以及LC1的阻抗明显增大的频率下，EMI抑制效能明显降低。 正确认识所谓的共模端接 关注线缆侧中心抽头连接以及所谓的共模端接。 在典型的以太网应用中，并没有明显的差模/共模混合传输模式的信号激励源。 对这种模式信号进行端接可能会影响EMI，但这种传输模式并不是EMI的主要源。 所谓的共模端接并没有端接真正的共模信号。 此端接的效能主要决定于系统设计，不能简单的认为此端接会提升EMI性能还是降低EMI性能。需要考虑如下两点：一是成本和益处；二是有可能为共模噪声提供一个绕过共模电感的路径。 正确认识所谓的共模端接 高压电容连接到噪声源点会增加线缆的共模电流和辐射，如图。参考平面如果不是理想的0V，高频的共模电流会绕过共模电感流到外部线缆上，引起辐射。 电流驱动型PHY 为什么2线共模电感不能放置于于电流驱动形PHY的PHY侧。如图，当有意信号的瞬时电流走在其中一个线圈或者在两个线圈中电流方向相同的时候，在磁芯中