数字电路逻辑设计-第3章-集成逻辑门.pptVIP

3.2.3 TTL OC门、三态输出(shūchū)门等 2.三态输出(shūchū)门 三态输出(shūchū)门（简称三态门）是在普通门电路基础上，增加控制端和控制电路构成。 * 第二十页，共28页。 利用三态门可以实现总线结构。 如右上图，只要控制各个门的EN端，轮流定时地使各个EN端为1，并且在任何时刻只有一个(yī ɡè)EN端为1。这样就可以把各个门的输出信号轮流传输到总线上。 利用三态门还可以实现数据的双向传输。 如右下图，当三态使能端EN=1时，D0经门G1反相送到数据总线，门G2呈高阻态；当三态使能端EN=0时，数据总线中的DI由门G2反相后输出，而门G1呈高阻态。 4. 三态输出(shūchū)门 * 第二十一页，共28页。 3.2.4 其它(qítā)系列TTL门电路 前面(qián mian)分析的是CT 54/74系列的典型与非门电路，为了提高工作速度，降低功耗，在CT 54/74系列后又相继研制生产了CT 54H/74H系列、CT 54S/74S系列、CT 54LS/74LS系列。 例如(lìrú)：7400、74LS00、74H00、74S00 TTL系列器件主要性能比较 * 第二十二页，共28页。 3.5 CMOS电路(diànlù) CMOS集成电路是以增强型P沟通MOS管和增强型N沟道MOS管串联互补（反相器）和并联互补（传输门）为基本(jīběn)单元的组件，因此称为互补型MOS器件。 * 第二十三页，共28页。 3.5.1 CMOS反相器工作(gōngzuò)原理 CMOS反相器由一个(yī ɡè)P沟通增强型MOS管和一个(yī ɡè)N沟道增强型MOS管串联组成。通常以P沟道管作为负载管，N沟道MOS管作为输入管。 当输入VI为低电平，如VI =0V时，输入管N管截止， 负载(fùzài)管P管导通，输出电平为高电平。 当输入VI为高电平，如VI =VDD时，输入管N管导通， 负载(fùzài)管P管截止，输出电平为低电平。 * 第二十四页，共28页。 1. CMOS反相器的主要(zhǔyào)特性 （1） 静态功耗(ɡōnɡ hào)极低。 CMOS反相器在低频工作时，功耗(ɡōnɡ hào)是极小的，低功耗(ɡōnɡ hào)是CMOS的最大优点。 （2） 抗干扰能力较强。 低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等。而且随电源电压升高，抗干扰能力增加。 （3） 电源利用率高。 由于其阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD可以在一个较宽的范围内变化。一般VDD允许范围为+3V ~ +18V。 （4） 输入阻抗高，带负载能力强。 * 第二十五页，共28页。 2. CMOS传输(chuán shū)门 CMOS传输门是由P沟道和N沟道增强型MOS管并联互补组成。 CMOS传输门的输出(shūchū)可以是模拟电路，它的主要用途是用作电子开关。 * 第二十六页，共28页。 * * * * * * * * * * * * 第3章 集成(jí chénɡ)逻辑门 主要内容 （1）晶体管开关特性及TTL逻辑门的基本工作原理。 （2）CMOS逻辑门的基本工作原理。 （3）各类门电路的外部电气特性：电压传输特性、输入输出特性、抗干扰特性、电源特性等。 （4）门电路的标准推拉输出、开路输出、三态输出的特点及用途。 （5）各类门电路性能(xìngnéng)比较。 重点 （1）晶体管开关特性。 （2）门电路的外部电气特性。 （3）门电路开路输出、三态输出的特点和应用。 * 第一页，共28页。 第3章 集成(jí chénɡ)逻辑门 用来实现基本逻辑关系的电子电路通称为逻辑门电路。常用的逻辑门电路在逻辑功能上有与门、或门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。 在逻辑门电路中，利用晶体二极管、三极管及MOS管的导通和截止、电平的高和低分别(fēnbié)表示二值逻辑中的1和0。 * 第二页，共28页。 3.1 晶体管的开关(kāiguān)特性 3.1.1 晶体二极管开关特性 晶体二极管是由PN结构成，具有单向导电的特性。 在开关电路近似(jìn sì)的分析中，晶体二极管可以当作一个理想开关来分析。 何谓理想开关？ （1）开关S断开时，通过开关的电流i=0， 这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。 （2） 开关S闭合时，开关两端电压v=0， 这时开关两端点间呈现的电阻为零。 （3） 开关S的接通或断开动作瞬间完成。 （4） 上述开关特性不受其它因素（如温度等）的影响。 * 第三页，共28页。 3.1.1 晶体二极管开关(kāiguān)特性 通常(tōngcháng)把电压Vth称为二极管的正向开启电压或门限电压，