数字电路教学课件：CHAPTER7.PPTVIP

* 紫色部分是两个晶体管，用薄氧化层隔开。 位于下面的晶体管又被称做浮闸，上面的是控制闸。 通过Fowler-Nordheim tunneling改变薄氧化层中电子的数量就能够改变当前单元的存储值。 一般施加10~13伏特的电压给浮闸可以使它像电子枪那样工作，活跃的电子被向前推送至薄氧化层上并产生负电荷。 通过检测穿越浮闸的电荷数量，单元中电流的走向也会相应改变，从而实现1状态-0状态的转变。 类似的，也可以用高电压形成的电场将0状态回复到1状态。 通过in-ciruit wiring的方式，可以对预先决定的区域或者是整个芯片进行恢复，之后就可以被重新写入。 Programmable logicand memory Chapter 9 MEMORY Introduction SSI, MSI Flip-flops, gates, counters, registers, Random logic ICs LSI Memory microprocessor, microprocessor support device Programmable logic devices (PLDs) It can be custom configured by the user to perform specific functions VLSI custom designed IC I