第5讲++基片集成波导+i.ppt

式子(2-23)中含 第一项考虑了平板波导的贡献，含 第二项是由同轴探针内导体的散射引起，第三项是剩下的金属柱体产生的。互导纳可表示为： (2-27) 其中 是两个端口源 之间的距离。 3.对基片集成波导结构的数值分析 Substrate Integrated Waveguide基片集成波导(SIW)与矩形波导的转换 半模基片集成波导(HMSIW)与矩形波导的转换电路 半模基片集成波导滤波器和天线 基片集成波导(SIW)就是将传统波导结构集成在基片中，或在介质基片中形成类波导结构，是一种介质填充波导结构[113]。基片集成波导是由上下两层金属面、中间的填充介质以及左右两排金属化通孔构成，如图2-1所示。两排金属化通孔的中心间距为w，金属化通孔的直径和间距分别为d和p，介质基片的厚度和介电常数分别为h和εr。基片集成波导上下表面的金属层构成了波导的两个宽边，两排金属孔构成了波导的窄边，电磁波在介质基片上下金属面和两排金属化通孔所围成的矩形区域内以类似于介质填充矩形波导中的场模式传输。基片集成波导的导波特性可采用频域有限差分法[114]、时域有限差分法[115]、直线法[116]等确定。类似于普通金属矩形波导，基片集成波导的最低工作频率(或截止频率)主要由两排金属化通孔的间距w确定；但与普通金属波导不同的是，基片集成波导的两窄边不是理想的电壁，而是由两排金属化通孔构成的近似电壁。当波导中传输微波信号时，在波导表面将产生表面电流，而构成基片集成波导两窄边的两排金属化通孔间存在缝隙，如果金属化通孔间的缝隙切断了表面电流，就会产生辐射，导致微波能量泄漏。由于电磁波能量的泄漏主要是由金属化通孔之间的缝隙引起的，这种能量的泄漏会增大传输衰减。显然，金属化通孔间缝隙越小，能量泄漏就越小。当缝隙等于零，即通孔无缝隙连成一排时，能量泄漏为零，但这时会破坏基片结构。实际上，对于印刷电路板(PCB)工艺或低温共烧结陶瓷(LTCC)工艺等，对金属化通孔的最小孔径和间距都有严格限制。因此设计基片集成波导时，必须在满足工艺规范的条件下，通过优化w/p、p/d，使得能量泄漏限制在可以忽略不计的程度。另一方面，如果缝隙顺着表面电流的方向，辐射就会变得很小。但当两相邻金属化通孔之间的距离p小于波导波长λg的五分之一且p4d时，能量泄漏基本可以忽略，此时，其主模场分布已基本接近普通金属波导的主模场分布。。 Substrate Integrated Waveguide基片集成波导(SIW)与矩形波导的转换 基片集成波导(SIW)与矩形波导的转换 半模基片集成波导滤波器和天线 微波毫米波电路的发展趋势是追求其小型化、高度平面集成。传统金属波导具有损耗小、Q值高、功率容量大等优点，但其体积庞大，难于与其它微波、毫米波电路平面集成，更难以实现小型化，而且加工难度和成本都比较高。微带等平面传输线被广泛应用于平面集成微波、毫米波电路中，但由于其传输损耗大、辐射干扰强等因素，也限制了这类电路的应用。同时，由于微带等平面传输线损耗大，品质因数低，因而采用它所设计制作的各种微波毫米波电路，如功分器、谐振器、滤波器等，其电路的一些关键性能指标不如波导元器件，而且在很多场合无法替代波导元器件，也不能满足某些微波、毫米波系统的性能要求。 基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide 缩写为SIW)是一种在介质基片上采用印刷工艺实现的新型微波、毫米波导波结构。这种波导是一种平面传输线，同时它又具有与传统金属波导相似的传播特性，因而兼有了金属波导传输损耗小、Q值高等优点同时又易于平面集成。可以用来设计各种高Q值的无源器件，诸如转换器、滤波器、环形器及天线等，同时可将基片集成波导元件与有源器件结合，设计各种高性能的有源电路，广泛地应用于微波及毫米波电路中。 此外，由于基片集成波导是一种类似于普通金属波导的准封闭平面导波结构，它除了具有类似于微带传输线的平面集成特性外，几乎严格消除了由于辐射和基片中的导波模引起的电路中不同部分的相互干扰。它与传统矩形波导不同的特点在于：它与有源器件的兼容性好，便于平面集成及小型化，具有体积小、重量轻、装配简单、加工容易和成本低等传统波导所没有的优点。可以用来设计很多高Q值、低损耗的平面微波毫米波电路。本章中我们来首先介绍基片集成波导的实现方法和分类，然后基于一些电磁场的数学方法来分析其传播特性。 如上所述，基片集成波导能够制作在PCB基板上，它有着低损耗、成本低、加工制造简单、易于平面集成的优点。然而有时在工作频率较低时实际SIW导波结构及其功能模块电路的尺寸还是太大，以致影响了电路的集成度和实际应用。为了克服以上缺点，