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PAGE PAGE 1 LED芯片转移系统及其转移方法与流程 led芯片转移系统及其转移方法技术领域1.本技术实施例涉及芯片制作技术领域，特殊涉及一种led芯片转移系统及其转移方法。背景技术：2.微型发光二极管(micro light emitting diode；简称：micro led)可视为微小化的led，具有高亮度、低功耗、超高解析度与颜色饱和度，同时可单独点亮每个像素(pixel)，发光效率高等优势，目前被应用在手机、电视等显示设备上，以作为显示设备的显示模组。micro led显示模组在具体制作时，是将形成在晶片(wafer)的衬底上的多个阵列排布的led芯片批量式转移至基板上，继而利用物理沉积制程形成庇护层与电极，得到像素阵列，最终进行封装即可形成micro led显示模组。3.相关技术中，led芯片的批量转移的具体过程是：首先，将具有肯定黏度的吸附盖板(stamp)贴合在晶片上的多个芯片上，利用范德华力将吸附盖板所掩盖的区域内的芯片粘附在吸附盖板上，继而将该吸附盖板与晶片的衬底进行分别，此时芯片从衬底上剥离下来并附着在吸附盖板上，接着该吸附盖板贴合在基板上，并将每个芯片与基板的连接位一一对应，然后通过外力对吸附盖板背离芯片的一侧进行挤压，以使芯片附着在基板对应的连接位上，最终将吸附盖板从基板上撤离，完成芯片的批量转移。4.然而