FinFET氧化栅制备方法和氧化栅结构与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 FinFET氧化栅制备方法和氧化栅结构与流程 finfet氧化栅制备方法和氧化栅结构技术领域1.本创造涉及集成电路领域，特殊是涉及一种finfet氧化栅制备方法。本创造还涉及一种finfet氧化栅结构。背景技术：2.finfet全称fin field?effect transistor，即叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。finfet命名依据晶体管的外形与鱼鳍的相像性。finfet源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管(field?effect transistor，fet)，在finfet的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3d架构，可于电路的两侧把握电路的接通与断开。finfet技术有增加晶体管密度和电气性能增加的优点，finfet已经成为流行和成熟的先进cmos技术。3.n7 finfet工艺流程中，fin cd为7nm,io区域gate?ox(thicker gate ox)如要用传统的issg ox；生长约35a厚度的oxide则需要shrink fin cd为3.5nm,通用的n7 finfet io gate?ox制备方法是issg 15a+ald ox20a(原子层沉积)+dpn(掺氮制程)。4.dpn通常接受的amat最新的dpn3机型，对于planar mos,有比较好的