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正确使用 CMOS和 NMOS器件需遵守的准则 所有 MOS集成电路 （包括P 沟道 MOS，N沟道 MOS，互补 MOS—CMOS集成电路） 都有一层绝缘栅， 以防止电压击穿。 一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm、 50nm、80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护， 虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ ESD），实验指 出，在高电压放电时器件会失效， 器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式， 最严重的也是最容易发生的是输入端或 输出端的完全破坏以至于与电源端 VDD、GND短路或开路，器件完全丧失了原有 的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化， 那就更难察 觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。 由于不可避免的短时间操作引起的高静电电压放电现像，