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PAGE PAGE 1 FinFET器件及其形成方法与流程 finfet器件及其形成方法技术领域1.本公开涉及finfet器件及其形成方法。背景技术：2.半导体器件用于各种电子应用中，例如，个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式来制造半导体器件：在半导体衬底之上依次沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并用法光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。3.半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来连续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的减小，消灭了应当解决的其他问题。技术实现要素：4.本公开的一个实施例供应了一种半导体器件，包括：衬底；第一隔离结构和其次隔离结构，在所述衬底之上；半导体鳍，在所述衬底之上并且在所述第一隔离结构和所述其次隔离结构之间，所述半导体鳍的顶表面高于所述第一隔离结构的顶表面和所述其次隔离结构的顶表面；以及第三隔离结构，延长穿过所述半导体鳍并且在所述第一隔离结构和所述其次隔离结构之间，所述第三隔离结构包括：第一电介质材料；以及其次电介质材料，在所述第一电介质材料之上，其中，所述第一电介质材料与所述其次电介质材料之间的界面低于所述第一隔离结构的顶表面和所述其次隔离结构的顶表面。5.本公开的另一实施