可控硅参数说明及中英文对照表7p.pdfVIP

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可控硅参数说明及中英文对照表 符号 英文单词参数 中文参数 说明 单位 o 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为 40 C 和规 定的冷却状态下, 稳定结温不超过额定结温时所允许流过 的最大工频正弦半波电流的平均值。 这也是标称其额定电 流的参数。同电力二极管一样,这个参数是按照正向电流 AVERAGE ON-STATE IT(AV) 通态平均电流 造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。 因此在 A CURRENT 使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造 成的发热效应相等, 即有效值相等的原则来选取晶闸管的 此项电流定额,并应留一定的裕量。一般选取其通态平均 电流为按此原则所得计算结果的 1.5-2 倍。 指器件通过规定正向峰值电流 IFM( 整流管 ) 或通态峰值电 Peak on-state 流 ITM( 晶闸管 ) 时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反 VTM 通态峰值电压 V voltage drop 映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能 力。 Maximum forward or IDRM reverse leakage 断态重复峰值漏电流 mA 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压 V 和反向 DRM current 重复峰值电压 时流过元件的正反向峰值漏电流该参数 VRRM 在器件允许工作的最高结温 Tj

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