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广州致远电子股份有限公司 如何快速读懂并理解 MC9S12XE 系列的编程手册 如何快速读懂并理解 MC9S12XE 系列的编程手册 在现今的经济社会，比拼的“快”不仅仅是速度快，更是效率高。身处社会分工细致的 今天，让自己更快效率更高是有方法的。 每一家 MCU产商都会提供他们生产的 MCU型号的 datasheet,Reference Manual 等各种 说明手册。 这对于从事电子软件开发的人员来说， 这是他们的第一手资料， 也是他们最重要 的参考资料， 他们所有的软件设计工作都是参考手册上的内容， 比如，硬件工程师可能比较 在乎芯片的电气特性； MCU应用工程师关注外设，编程器时序开发人员则比较注重去理解 Flash Module, 在工作中他们要仔细并反复阅读他们所关注的部分。 最近则频繁的收到飞思卡尔芯片烧录不良的反馈，而且最多的集中在 MC9S12XE这个系 列上。 MC9S12XEP100这款飞思卡尔芯片跟平时我们所遇到的芯片相比有些特殊。 首先，它的 Flash 包括以下三部分： 一、 1MB的 P-flash(Program Flash) ，非易失性代码存储器； 二、 32KB 的 D-flash(Data Flash) ， 我们可以把它当作 EEPROM； 三、 4KB 的 Buffer RAM 。 其次，它三部分 Flash 特殊的地方： 1）三部分 Flash 各部分分别映射在 global Map的不同部分，并不是连续的。所以对于所有 的编写程序的工程师来说，要实现 Flash Operations ，首先要正确实现 Flash Module 各部 分的地址映射。下图就是简单的一个映射说明： 2 ）4KB 的 Buffer RAM 。虽然它就是一个 RAM，但是它比较特殊，因为它的每次修改都会转 储到 D-Flash 的一个分区中，每次上电会将该分区的内容自动加载到 Buffer RAM 中，所以 它就是一个下电不丢失数据的 RAM，我们就把它当作一个 EEPROM。 MCU批量生产时的编程主要包括以下几部分，这里特别提醒做项目的工程师，烧录芯片是非 常关键的，因为他包含了对整个 MCU的 Flash 进行操作和加密： 1） Flash 操作（编程、擦除、校验等） 由于 Buffer Ram的存在使得要实现 Flash 操作配置变得难度加大，因为对 Buffer Ram的任 何操作， 最终都要更新到 D-flash 中的 EEP中，所以在对 Buffer Ram操作之前要对 D-flash 文库资料 ?2016 Guangzhou ZHIYUAN Electronics Stock Co., Ltd. 文章源自 ZLG 致远电子，转载或引用请注明出处 1 广州致远电子股份有限公司 如何快速读懂并理解 MC9S12XE 系列的编程手册 进行分区，分成 D-flash 和 EEP两部分。其中 EEP用于存储对 Buffer Ram 的修改。 2 ） Flash 加密 芯片的加密，保护用户代码。由于 Flash 包含三个部分（ P-flash ，D-flash ，Buffer RAM）， 所以对芯片的加密也有三部分。通过对相应的加密字节进行设置即可实现。 作为嵌入式开发工程师， 看到这里， 是否对这颗芯片的编程望而却步了呢？同时，