课件数电第3章门电路.pptxVIP

第3章 门电路;目录：;3.1 概述;获得高、低电平的基本原理;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1;数字电路的分类;集成电路;3.2 半导体二极管门电路;2. 二极管的开关等效电路：;3.二极管的动态电流波形：;3.2.2 二极管与门;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点：;3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例：;二、输入特性和输出特性;截止区（断开状态的开关） VGSVGS(th)， iD = 0, ROFF 109Ω;N 沟道 ;　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 ;三、NMOS管的基本开关电路; D-S间相当于是一个受VI控制的开关;四、 MOS管的开关等效电路;五、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;二、电压、电流传输特性;二、电压、电流传输特性;三、输入端噪声容限;结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性;一、输入特性;;二、输出特性;二、输出特性;3.3.4 CMOS反相器的动态特性;二、交流噪声容限;三、动态功耗;三、动态功耗;三、动态功耗;总结：VDD对性能的影响;3.3.5 其他类型的CMOS门电路;与非