RCD吸收电路说明介绍.pdfVIP

RCD吸收电路 RCD 吸收电路它由电阻 Rs、电容 Cs 和二极管 VDs 构成。电阻 Rs 也可以与二极管 VDs 并联 连接。RCD 吸收电路对过电压的抑制要好于 RC吸收电路， 与 RC 电路相比 Vce 升高的幅度更 小。由于可以取大阻值的吸收电阻，在一定程度上降低了损耗。 目录 RCD吸收电路的原理 RCD吸收电路的设计 RCD吸收电路与 RC电路的比较 RCD吸收电路的影响 RCD吸收电路的原理 若开关断开， 蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电， 开关电压上升。 其电压 上升到吸收电容的电压时， 吸收二极管导通， 开关电压被吸收二极管所嵌位， 约为 1V 左右。 寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。 RCD吸收电路的设计 一﹑首先对 MOS 管的 VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压 VDC； ⅱ，次级反射初级的 VOR； ⅲ，主 MOS 管 VD 余量 VDS； ⅳ， RCD吸收有效电压 VRCD1。 二﹑对于以上主 MOS 管 VD 的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压 VDC。 在计算 VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。 VDC＝VAC * √2 ⅱ，次级反射初级的 VOR。 VOR 是依在次级输出最高电压 ,整流二极管压降最大时计算的， 如输出电压为： 5.0V ±5% （依Vo =5.25V 计算），二极管 VF 为 0.525V （此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 VF 值）． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主 MOS 管 VD 的余量 VDS． VDS 是依 MOS 管 VD 的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 VD=650 应选择 DC65V． VDS＝VD* 10% ⅳ， RCD吸收 VRCD． MOS 管的 VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD 的最大值。实际选取的 VRCD应为最大值的 90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性， 温度漂移和时间飘移等因素得影响） 。 VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD必须大于 VOR 的 1.3 倍． （如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 VD 值选择就太低 了） ③ MOS 管 VD 应当小于 VDC 的 2 倍．（如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 VD 值就过大了） ④ 如果 VRCD 的实测值小于 VOR 的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD是由 VRCD1和 VOR组成的 ⅴ， RC时间常数 τ确定． τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~20 个开关电源周期。 三﹑试验调整 VRCD值 首先假设一个 RC参数， R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电， 应遵循先低压后高压， 再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视 RC元件上的电压值，务必使 VRCD 小于计 算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将 R 值减小后，重复以上试验。 （RC元件上 的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容