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第 3 章 场效应管及其放大电路例题解析 例 3 ．1 试将场效应管栅极和漏极电压对电流的控制机理，与双极型晶体管基极和集电 极电压对电流的控制机理作一比较。 场效应管栅极电压是通过改变场效应管导电沟道的几何尺寸来控制电流。漏极电压则改 变导电沟道几何尺寸和加速载流子运动。双极型三极管基极电压是通过改变发射结势垒高 度来控制电流，集电极电压 (在放大区 ) 是通过改变基区宽度，从而改变基区少子密度梯度 来控制电流。 例 3．2 N 沟道 JFET 的转移特性如图 3 ．1 所示。试确定其饱和漏电流 IDSS 和夹断电压 V P 。 解 由图 3 ．1 可至知，此 JFET 的饱和漏电流 IDSS ≈4mA，夹断电压 V P ≈-4V 。 例 3．3 N 沟道 JFET 的输出特性如图 3．2 所示。漏源电压的 V DS ＝15V ，试确定其饱 和漏电流 I DSS 和夹断电压 V P。并计算 V GS ＝-2V 时的跨导 gm 。 解 由图 3 ．2 可得：饱和漏电流 IDSS≈4mA，夹断电压 V P≈-4V ，V GS ＝-2V 时，用作图 2.6 1.4 g m 1.2ms 法求得跨导近似为： 1 ( 2) 例３． 4 在图 3．3 所示的放大电路中，已知 V DD ＝20V ，RD ＝10k Ω，RS＝10k Ω，R １＝ 2 G L 200 k Ω， R ＝51k Ω， R ＝1MΩ，并将其输出端接一负载电阻 R ＝10 k Ω。所用的场效应管 为 N 沟道耗尽型，其参数 I ＝ ． ＝ ＝ ． DSS 0 9mA ，V P —4V ，gm 1 5mA ／V 。试求： (1) 静态值； (2) 电压放大倍数。 ＧＳ ＧＳ 解 (1) 画出其微变等效电路，如图 3 ．4 所示。其中考虑到 ｒ 很大，可认为 ｒ 开路， 由电路图可知， 3 R2 51 10 VG VDD 3 20V 4V R R (200 51) 10 1 2 并可列出 3 VGS VG RS I D 4 10 10 I D 在 V P≤VGS ≤0范围内，耗尽型场效应管的转移特性可近似用下式表示： V GS 2 I D I DSS (1 ) V P 联立上列两式