结构工作原理参照.pdfVIP

（三）、硅太阳能电池的结构及工作原理 硅太阳能电池的外形及基本结构如图 1。基本材料为 P 型单晶硅，厚度为 0.3 —0.5mm 左右。上表面为 N+ 型区，构成一个 PN＋结。顶区表面有栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与 N＋区和 P 区形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。 当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽度的光子在 N+区， PN＋结空 间电荷区和 P 区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发 光电压作出贡献。光生电子留于 N＋区，光生空穴留于 P 区，在 PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生 光生电压，此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后，光电池就从 P 区经负载流至 N＋区，负载中 就有功率输出。 太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光（或紫外光） 敏感，约占总光源电流的 5－ 10％（随 N＋区厚度而变）， PN＋结空间电荷的光生电流对可