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模电三极管的第1页/共85页2.1 半导体三极管的结构简介放大状态下BJT的工作原理的V－I特性曲线的主要参数第2页/共85页的结构简介按照所用的半导体材料分：硅管、锗管；按照工作频率分：低频管、高频管；按照功率分：小、中、大功率管。(a) 小功率管(b) 小功率管(c) 大功率管(d) 中功率管第3页/共85页的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。(a) NPN型管结构示意图(b) PNP型管结构示意图(c) NPN管的电路符号(d) PNP管的电路符号第4页/共85页的结构简介集成电路中典型NPN型BJT的截面图放大状态下BJT中载流子的传输过程第5页/共85页放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 外部条件： 发射结正偏 集电结反偏1. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO放大状态下BJT中载流子的传输过程第6页/共85页发射极电流IE很多电子扩散到基区发射结正偏多子扩散IE=IEN+ IEPIE≈IEN放大状态下BJT中载流子的传输过程第7页/共85页基极复合电流IBN 扩散到基区的电子与基区的多子（空穴）复合，形成复合电流IBN放大状态下BJT中载流子的传输过程第8页/共85页集电极电流IC载流子被集电极收集形成电流ICN加上集电极和基极间的反相饱和电流集电结反偏漂移增强集电极电流 为共基极直流电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 = 0.9?0.99 。第9页/共85页2. 电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO通常 IC ICBO放大状态下BJT中载流子的传输过程根据 IC= ICN+ ICBOIE=IB+ IC 是共射极直流电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 1 。第10页/共85页2. 电流分配关系则第11页/共85页3. 三极管的三种组态BJT的三种组态共基极接法，基极作为公共电极；共发射极接法，发射极作为公共电极；共集电极接法，集电极作为公共电极。若?vI = 20mV使?iE = -1 mA，当? = 0.98 时，则?iC = ? ?iE = -0.98 mA，第12页/共85页4. 放大作用共基极放大电路?vO = -?iC? RL = 0.98 V，电压放大倍数第13页/共85页 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。共射极连接第14页/共85页的V-I 特性曲线1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。第15页/共85页的V-I 特性曲线2. 输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。（1）共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/ IB≈IC / IB ? vCE=常数与iC的关系曲线 第16页/共85页的主要参数1. 电流放大系数 （2） 共发射极交流电流放大系数 ? ? =?IC/?IB?vCE=常数 （3） 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/ IE≈IC/IE 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。第17页/共85页的主要参数1. 电流放大系数 （4） 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE?vCB=常数第18页/共85页的主要参数 2. 极间反向电流 （1） 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ICEO=（1+）ICBO 第19页/共85页的主要参数 2. 极间反