原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
低压化学气相淀积多晶硅;多晶硅薄膜电学性质;低压化学气相淀积; (4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法,有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大,常压CVD方法就更不能适应要求了。;基本原理; 当硅烷被吸附之后，紧接着就是硅烷的热分解，中间产物是SiH2和H2。随后分解形成固态硅薄膜和气态氢。总的反应式如下：
SiH4(吸附) = Si(固)+H2(气体)
;
谢谢
文档评论（0）