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1;;2.原子核的磁矩 ;核磁矩的大小与自旋角动量的大小成正比。
γ为核的磁旋比(又称旋磁比、回旋比等),它是核的特征常数。 ;二、原子核在磁场中的行为;第5页/共84页;;;三、驰豫过程;1.自旋—晶格弛豫(又称为纵向弛豫);2.自旋—自旋弛豫(又称为横向弛豫);第二节 化学位移 ;; 核外电子在外磁场作用下, 在与外磁场垂直的平面上绕
核环流, 形成环电流同时产生与外加磁场相对抗的感应磁
场. 感应磁场减弱外磁场对磁核的作用。
1H有效=H0(1-?)=H0-H0?=H0-H感应
处于不同化学环境的质子, 核外电子云分布不同, ?值不同。;高电子密度区域的核, 屏蔽效应增强:
H=Ho+H感应;共振条件为:;二、化学位移的表示方法及测定; (1)TMS分子中有12个相同化学环境的氢,核磁共振信号为单一尖峰,用少量的TMS即可测出核磁共振信号。
(2)因为Si的电负性(1.9)比C的电负性(2.6)小,TMS质子处在高电子密度区,产生较大的屏蔽效应。它产生NMR信号所需的磁场强度比一般有机物中质子产生NMR信号所需的磁场强度都大,与样品信号之间不会互相重叠干扰。 ;;化学位移通常用位移常数δ值表示。; 标准物: 四甲基硅烷 (CH3)4 Si, TMS ?=0(单峰)
CHCl3: ? = —————— ? 106 = 7.28 ppm
60MHZ;?值小,屏蔽作用大; ?值大,屏蔽作用小。;2.化学位移的测定;三、影响化学位移的因素 ;; 试比较下面化合物分子中 Ha Hb Hc ? 值的大小。 ;(二)各向异性效应 ;1.芳环的各向异性效应 ;2.乙炔分子的各向异性效应 ;3.双键的各向异性效应 ;第30页/共84页;(三)氢键 ;; 分子内氢键, 其化学位移变化与溶液浓度无关, 取决于分子
本身结构。;(四)质子交换 ;(五)溶剂效应 ;有机分子中质子的化学位移近似表 ;第三节 偶合和分裂 ; 相邻近氢核自旋之间的相互干扰作用称为自旋偶合。
由自旋偶合引起的谱线增多现象叫做自旋裂分。 ;一、简单原理 ; HB有两个,各峰的强度为1:2:1;CH3CHO分子中各组氢分别呈几重峰?;第42页/共84页;二、偶合常数 (J);1. 同碳偶合 ( 2J );1.核的等价性质
(1)化学等价
分子中两个相同的原子处于相同的化学环境时称化学等价。
化学等价的质子必然化学位移相同。 ;(1)n+1规律。
当有不同的近邻时(即质子和两种不同类型的质子,一种n个,一种n’个偶合时),则将出现
(n+1)(n’+1)……个峰。 ;如果邻近不同的核与所研究的核之间有着接近或相同的偶合
常数, 那么谱线分裂的数目为 (n+n’+1)。;(2)裂分峰的强度比相当于二项式(x+1)n的展开式系数;(3)裂分峰以该质子的化学位移为中心,左右大体上对称,互相偶合的两个质子,其偶合常数J相等,即裂分峰之间的距离相等。
(4)磁全同的核之间也有偶合,但没有裂分现象,谱线是单峰。;第四节 NMR谱的类型 ;产生一级谱的条件为:
1)△ν/J大,至少应大于6。
2)同一核组(其化学位移相同)的核均为磁等价的。;1.AX系统
2.AX2系统
3.A2X2系统
4.A3M2X2系统
5.AMX系统 ;二、高级谱
两个互相偶合的核,其△ν/J<6时,即不能满足一级谱的条件,则产生高级谱。;第五节 核磁共振波谱仪 ;1.磁铁
永久磁铁
电磁铁
超导磁体
2.射频振荡器
3.射频接受器
4.探头和样品管座;核磁共振仪磁铁;液体探头外观;NMR固体探头;NMR固体样品管;
去偶仪
温度可变装置
信号累计平均仪(CAT);二、样品的处理方法 ;三、核磁共振谱 ;1.化学位移
2.偶合常数
3.峰面积;用积分线推定质子数有几种方法:
(1)分子式己确定时,可以从积分线求出质子的绝对数目。
(2)分子式不知道时,以不重叠的单一尖峰为标准。
;第六节 图谱的解析 ;例1 氰基乙酸乙酯CNCH2COOCH2CH3的核磁共振谱如图所示,试解释各个吸收峰。 ;例2 ;例3 有一芳香酯C10H12O3样品,其谱图如图所示,试确定其结构。 ;例
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