电路与模拟电子技术第6章-半导体器件PPT课件.ppt

?导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 6.1.1 半导体的三个特性 1.热敏特性和光敏特性 在加热或光照加强时，半导 体的阻值显著下降，导电能力 增强类似于导体。 半导体具有热敏特性和光敏特性是由半导体的内部结构所决定的。如图6.1所示。 ; 2.掺杂特性 如果在半导体里掺入少量外层电子只有三个的硼元素，和外层电子数是四个的硅或锗原子组成共价键时，就自然形成一个空穴，这就使半导体中的空穴载流子增多，叫空穴型半导体，简称P型半导体。 如果在半导体中掺入少量外层电子为五个的磷元素，在和半导体原子组成共价键时，就多出一个电子。这种电子为多数载流子的半导体叫电子型半导体，简称N型半导体。;1.PN结的形成 在一块纯净的半导体晶片上， 采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素。一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体，如图6.2所示。? 在结合面的两侧分别留下了不能移动的正负离子，呈现出一个空间电荷区。这个空间电荷区就称为PN结。; PN结正偏（P＋N－）导通，反偏（P－N＋）载止，具有单向导电性。? ;?6.2.1 结构和分类 二极管内部就是一个PN结，PN结具有单向导电性，所以二极管也具有单向导电性。 按PN结的接触面大小， 二极管可分为点接触型 和面接触型。按制造所 用的半导体材料，二极 管可分为硅管和锗管。按不同的用途，二极管 可分为普通管，整流管和开关管等。;;1.伏安特性 一般硅管导通压降约为0.7伏,锗管导 通压降约为0.3伏。除稳压二极管外， 反向击穿都将使二极管损坏。 2.主要参数 （1）最大整流电流IF 超过IF二极管的PN结将过热而烧断。 （2）最高反向工作电压URM 二极管一旦过压击穿损坏，失去了单向导电性。 （3）最大反向电流IRM 这个电流愈小二极管的单向导电性愈好。温升时，IRM增大。;利用二极管的单向导电性，可实现整流、限幅、钳位、检波、保护、开关等。 1.整流电路 整流电路是利用二极 管的单向导电作用，将交 流电变成直流电的电路。 ; 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。 ; 钳位电路是使输 出电位钳制在某一数 值上保持不变的电路。 设二极管为理想元件， 当输入UA＝UB＝3V时，二极管V1，V2正偏导通，输出被钳制在UA和UB上，即UF＝3V；当UA＝0V，UB＝3V，则V1导通，输出被钳制在UF＝UA＝0V，V2反偏截止。; 检波电路是把信号从已调波中检出来的电路。 ?;1.发光二极管 发光二极管正 偏导通时发光。 2.光电二极管 光电二极管光 照增强时，外 加反偏压作用下，反向电流增加。 3.光电耦合器 如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电 耦合器件。 4.稳压二极管 具有稳定电压的作用，工作在反向击穿区。 稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ（2）稳定电流IZ（3）动态电阻rZ;? 三极管在模拟电子电路中其主要作用是构成放大电路。 6.3.1 三极管的结构和分类 结构：三个区、 二个结、 三个电极。 分类：三极管如按结构可分为NPN型和PNP型；按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功率可分为大、中、小功率管；按频率特性可分为低频管和高频管等。; 三极管放大条件：发射结正偏，集电结反偏。 1.发射区发射电子形成IE 2.基区复合电子形成IB 3.集电区收集电子形成IC IE＝IB＋IC IC＝ IB IE＝IB＋IC＝IB＋ IB＝(1＋ )IB 三极管的电流放大作用的实质是以很小的IB控制较大的IC。 ;1.伏安特性 （1）输入特性 在放大区，硅管的发射结 压降U