半导体器件物理简答题.pdfVIP

.\ 简答题答案： 1.空间电荷区是怎样形成的。画出零偏与反偏状态下 pn 结的能带图。 答 ： 当 p 型半导体和 n 型半导体紧密结合时，在其交界面附近存在载流子的浓度梯度，它 将引起 p 区空穴向 n 区扩散， n 区电子向 p 区扩散。 因此在交界面附近， p 区留下了不能移 动的带负电的电离受主， n 区留下了不能移动的带正电的电离施主，形成所谓空间电荷区。 PN 结零偏时的能带图： PN 结反偏时的能带图： 2.为什么反偏状态下的 pn 结存在电容？为什么随着反偏电压的增加，势垒电容反而下降？ 答 ：①由于空间电荷区宽度是反偏电压的函数，其随反偏电压的增加而增加。空间电荷区 内的正电荷与负电荷在空间上又是分离的，当外加反偏电压时，空间电荷区内的正负电荷 数会跟随其发生相应的变化， 这样 PN 结就有了电容的充放电效应。 对于大的正向偏压， 有 大量载流子通过空间电荷区 , 耗尽层近似