半导体物理与器件基础知识.pdfVIP

. 9 金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触：通过金属 -半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时， 在未接触时， 半导体的费米能级高于金属的费米能级， 接 触后，半导体的电子流向金属， 使得金属的费米能级上升。 之间形成势垒为肖特 基势垒。 在金属与半导体接触处， 场强达到最大值， 由于金属中场强为零， 所以在金属 —— 半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素： 肖特基效应的影响， 即势垒的镜像力降低效 应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。 附 图： . . 电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于 pn 结的少数载流子 的扩散运动决定电流， 而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差 形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的 I-V 曲线： 反向电流随反偏电压 增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与 Pn 结二极管的比较： 1.反向饱和电流密度（同上） ，有效开 启电压低于 Pn 结二极管的有效开启电压。 2.开关特性肖特基二极管更好。应为 肖特基二极管是一个多子导电器件， 加正向偏压时不会产生扩散电容。 从正偏到 反偏时也不存在像 Pn 结器件的少数载流子存储效应。 二、金属 -半导体的欧姆接触 . . 附金属分别与 N 型 p 型半导体接触的能带示意图 三、异质结：两种不同的半导体形成一个结 小结： 1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高 度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。 . . 2.肖特基二极管的反向饱和电流比 pn 结的大，因此达到相同电流时，肖特基二 极管所需的反偏电压要低。 10 双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个 Pn 结，两个结很近所以之间可以 互相作用。 之所以成为双极型晶体管， 是应为这种器件中包含电子和空穴两种极 性不同的载流子运动。 一、工作原理 附 npn 型和 pnp 型的结构图 发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低 . . 附常规 npn 截面图 造成实际结构复杂的原因是： 1.各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电 阻，必须要有重掺杂的 N+型掩埋层。 2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶 体管，各自必须隔离，应为不是所有的集电极都是同一个电位。 通常情况下， BE结是正偏的， BC结是反偏的。称为正向有源。 附图： .