ABB主扇一用一备一检修方案.pptVIP

多电平结构 多电平结构 多电平结构 多电平结构 多电平结构 多电平结构 集成门集换向型晶闸管 IGCT器件采用压接方式，器件中没有焊点，因而该器件的可靠和故障率大大低于IGBT 高可靠性 IGCT的故障率指标FIT = 100 交流耐压: 最高 6kV kV 通态电流: 2200 A 最少的功率半导体元器件的数量 理论计算的MTBF = 50,000H 抑制谐波 开关频率: 最高 20 kHz 自愈式金属薄膜电容器 自愈式金属薄膜电容器特点及原理 使用寿命长，实际寿命长于变频器设计寿命； 抗冲击能力强——自愈式 DTC（直接转矩控制技术） 速度控制 PID REF 转距给定 转距给定 调节器 速度给定 触发逻辑 开关位置 电压 电流 = 电机模型 转距和磁通 比较器 3~ 转距 计算速度 磁通 直接转矩控制DTC具有25us的控制周期 DTC（直接转矩控制技术） 卓越的转距特性 DTC Flux vector Open loop PWM 3 ms 10 - 20 ms 100 ms Torque step T= 0...100%, speed 70 % -150 -100 -50 0 50 100 150 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 Time [s] [%] Phase A current Phase C cu