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[半导体物理]第五章 非平衡载流子.pdfVIP

[半导体物理]第五章 非平衡载流子.pdf

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    第五章非平衡载流子 在外界因素的作用下，能带中的载流子数目发生明 显的改变，即产生非平衡载流子。 晶体管放大 半导体发光 光电导 本章内容： 非平衡载流子的注入，非平衡载流子的复合与寿 命，陷阱效应，非平衡载流子的扩散等。 5.1非平衡载流子的注入与复合 1、半导体的热平衡状态与非平衡状态 载流子产生率：单位时间单位体积半导体内产生 电子－空穴对数目。 载流子复合率：单位时间单位体积内复合的电子 －空穴对数目。 热平衡：产生率＝复合率 平衡载流子浓度：

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