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一种并联结构的梯度线圈
技术领域
本发明涉及磁共振成像领域,特别是涉及一种并联结构的梯度线圈。
背景技术
随着磁共振成像技术的发展,追求更高的图像分辨率和更快的扫描速度,这对梯度线圈的性能提出了更高的要求。
高性能梯度线圈要能够产生更高的梯度强度,且具有更快的切换速率。可以通过增加线圈的匝数或者增大线圈电流来提高梯度强度,更快的切换速率则要求梯度线圈具有较低的电感。
但是,由于空间尺寸的限制,在有限的空间内仅能布置一定匝数的通电导线。而且,匝数的增加会导致电感的增大,这对功率放大器提出了更高的要求。增大线圈的电流则会带来更严重的发热问题,需要更多的空间用于布置冷却介质回路,这带来了性能的下降和成本的增加。
为了解决发热问题,现有技术都布置了非常复杂的冷却管路,这给生产制造带来了困难,而且给产品的可靠性增加了风险。双层导体结构要求更高的电压和更大的电流,需要配置更高性能的功率放大器,带来了成本和技术难度的增加,受限于现有功率器件的技术水平,目前最高性能的功率放大器能够提供2200V的峰值电压和1500A的峰值电流。
发明内容
本发明的目的是提供一种并联结构的梯度线圈,可以有效解决现有梯度线圈制造成本高和可靠性低等问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了如下技术方案:
一种并联结构的梯度线圈,包括:
第一线圈,所述第一线圈包括两组相互串联的第一主线圈和第一屏蔽线圈,两组所述第一主线圈均包括相互并联的两个第一主指纹线圈,两组所述第一屏蔽线圈均包括相互并联的两个第一屏蔽指纹线圈;
第二线圈,所述第二线圈包括两组相互串联的第二主线圈和第二屏蔽线圈,两组所述第二主线圈均包括相互并联的两个第二主指纹线圈,两组所述第二屏蔽线圈均包括相互并联的两个第二屏蔽指纹线圈;
第三线圈,所述第三线圈包括两组相互串联的第三主线圈和第三屏蔽线圈,两组所述第三主线圈均包括相互并联的两个第三主螺线管线圈,两组所述第三屏蔽线圈均包括相互并联的两个第三屏蔽螺线管线圈;
第一功率放大器,所述第一功率放大器用于分别驱动其中一组所述第一主线圈和所述第一屏蔽线圈、其中一组所述第二主线圈和所述第二屏蔽线圈、其中一组所述第三主线圈和所述第三屏蔽线圈;
第二功率放大器,所述第二功率放大器用于分别驱动另一组所述第一主线圈和所述第一屏蔽线圈、另一组所述第二主线圈和所述第二屏蔽线圈、另一组所述第三主线圈和所述第三屏蔽线圈。
优选地,两个所述第一主线圈位于同一圆柱表面,分别位于x轴的正半轴方位和负半轴方位,形成X主线圈层;两个所述第二主线圈位于同一圆柱表面,分别位于y轴的正半轴方位和负半轴方位,形成Y主线圈层;两个所述第三主线圈位于同一圆柱表面,分别位于Z轴的正半轴方位和负半轴方位,形成Z主线圈层;两个所述第一屏蔽线圈位于同一圆柱表面,分别位于x轴的正半轴方位和负半轴方位,形成X屏蔽线圈层;两个所述第二屏蔽线圈位于同一圆柱表面,分别位于y轴的正半轴方位和负半轴方位,形成Y屏蔽线圈层;两个所述第三屏蔽线圈位于同一圆柱表面,分别位于z轴的正半轴方位和负半轴方位,形成Z屏蔽线圈层。
优选地,所述X主线圈层、所述Y主线圈层、所述Z主线圈层、所述Z屏蔽线圈层、所述X屏蔽线圈层和所述Y屏蔽线圈层在径向自内向外依次设置。
优选地,所述第一屏蔽线圈的两个第一屏蔽指纹线圈的结构是两个位于同一圆柱表面且相互嵌套在一起的指纹形回路;所述第一主线圈的两个第一主指纹线圈、所述第二主线圈的两个第二主指纹线圈和所述第二屏蔽线圈的两个第二屏蔽指纹线圈与所述第一屏蔽线圈的两个第一屏蔽指纹线圈的结构相同。
优选地,所述第一主线圈的两个位于同一圆柱表面且相互嵌套在一起的所述指纹形回路的长度相同、电阻相同。
优选地,所述第一屏蔽线圈的两个位于同一圆柱表面且相互嵌套在一起的所述指纹形回路的长度相同、电阻相同。
优选地,所述第二主线圈的两个位于同一圆柱表面且相互嵌套在一起的所述指纹形回路的长度相同、电阻相同。
优选地,所述第二屏蔽线圈的两个位于同一圆柱表面且相互嵌套在一起的所述指纹形回路的长度相同、电阻相同。
优选地,相互并联的两个所述第三主螺线管线圈位于同一圆柱表面,且相互嵌套在一起;相互并联的两个所述第三屏蔽螺线管线圈位于同一圆柱表面,且相互嵌套在一起。
优选地,相互并联的两个所述第三主螺线管线圈的长度相同、电阻相同;相互并联的两个所述第三屏蔽螺线管线圈的长度相同、电阻相同。
优选地,所述第一主线圈、所述第一屏蔽线圈、所述第二主线圈和所述第二屏蔽线圈的指纹形回路均通过金属导线绕制成型或通过金属板加工成型,所述第三主螺线管线圈和所述第三屏蔽螺线管线圈均通过金属导线绕制成型或通过金属板加工成型。
与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
本发明所提供的一种并联结构的梯度线圈,具有热点温度低的优点,能够降低冷却管路的设计和制造难度
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