光电材料与半导体器件23GeSi合金的等离子色散效应掺杂或注入都可.ppt

词语：常数 拼音：chángshù 解释：规定的数量。《仪礼·聘礼》：“燕与羞，俶献无常数。”《汉书·王莽传中》：“公卿入宫，吏有常数。”宋司马光《论财利疏》：“至於颁赐外廷之臣，亦皆踰溢常数，不循旧规。”《明史·李新传》：“新首建言，公、侯家人及仪从户各有常数，餘者宜归有司。”范文澜蔡美彪等《中国通史》第四编第一章第一节：“宋朝又以各种名目，巧取豪夺。后蜀原有的赋税剥削之外，又以‘日进’‘上供’为名，勒索倍于‘常数’（规定数额）。”一定的规律。《战国策·秦策三》：“‘日中则移，月满则亏。’物盛则衰，天之常数也。”三国蜀诸葛亮《为后帝代魏诏》：“善积者昌，恶积者丧，古今常数也。”宋陆游《雷》诗：“吾闻阴阳有常数，非时动静皆为灾。”一定之数或通常之数。《三国志·魏志·管辂传》：“天有常数，不可得讳，但人不知耳。”清恽敬《说仙三》：“百二十年者，常数也；不及者，皆殤也。”一定的次序。唐元稹《酬李相公并启》：“废名位之常数，比朋友以字之。”数学名词。固定不变的数值。如圆的周长和直径的比(π)约为3.1416、铁的膨胀系数为0.000012等。 * 词语：应变 拼音：yìngbiàn 解释：顺应变化。《荀子·非相》：“不先虑，不早谋，发之而当，成文而类，居错迁徙，应变不穷，是圣人之辩者也。”晋干宝《搜神记》卷十二：“应变而动，是为顺常。”应付事变。《文子·上义》：“拘礼之人，不可使应变。”《史记·太史公自序》：“非信廉仁勇不能传兵论剑，与道同符，内可以治身，外可以应变。”宋陆游《贺汤丞相启》：“守文致理，将见隆古极治之时；应变制宜，必有仁人无敌之勇。”孙中山《第二次护法宣言》：“文仅率军舰，仓卒应变，而陆地为变兵所据。”力学名词。指物体由于外因或内在缺陷，其体积或形状所发生的变化。徐迟《哥德巴赫猜想·地质之光》：“他曾经运用了从单一区域的扭动形式来查明应变形迹的方法，阐明了英格兰的隐伏煤田。” * 词语：临界 拼音：lín jiè 解释：指由一种状态或物理量转变为另一种状态或物理量。《花城》1982年第3期：“何况，控制水位还有安全系数，并非临界。”参见“临界角”、“临界点”。 * 词语：晶格 拼音：jīnɡ ɡé 解释：1. 晶体点阵。 * 词语：厚度 拼音：hòudù 解释：扁形物体上下两面之间的距离。如：桌子面不能太薄，要有一定的厚度。 * 光电材料与半导体器件 本章内容 2.1 GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性 2.2 GeSi合金的折射率的计算 2.3 GeSi合金的等离子色散效应 2.1 GeSi应变层的临界厚度及超晶格的稳定性 众所周知，Si和Ge的晶格常数分别为0.5431nm和0.563nm，它们之间的晶格失配为4.2%。而GeSi合金的晶格常数与Ge含量x有关，若x从0-1变化，其晶格常数则相应地在0.5431-0.5646之间变化。只要x≠0，GeSi合金与Si衬底就有晶格失配，就有应力产生。由于MBE、MOCVD等外延生长技术的发展。可使晶体失配系统共度生长。即在一定厚度范围内，外延层晶格常数受到失配应力的调节，其晶格产生弹性应变，使生长平面内外延层晶格常数与衬底晶格常数相等，在外延层中基本消除失配位错。因此，在Si衬底上生长GeSi应变层存在一个临界厚度。在外延层厚度超过临界厚度时，将会产生失配位错。 1. GeSi应变层的临界厚度 在临界厚度的计算中，通常有两种理论模型：力学平衡模型和能量平衡模型。在第一个模型中，假定位错由力平衡的破坏所致，当失配引起的作用使位错线上的力FH大于位错内部引力FD时，产生位错，如图2-1所示。当外延层厚度为ha时，界面连贯如图2-1中曲线a所示，当厚度为hb时，外延层处于位错的临界状态，界面如图2-1中曲线b所示，当外延层厚度为hc时，在界面形成位错，同时引入长为LL′的失配位错线，如图2-1中曲线c所示。这两种介质弹性常数相等，则FH为： （2-1） 位错的张力为： 其中v是泊松比，G是切向变量，b是滑移距离（ b≈a/2），h是应变层厚度，f是失配因子。由FH=FD可得临界厚度hc为 图2-1GeSi临界厚度力学平衡模型示意图 （2-2） （2-3） 在能量平衡模型中，假定失配位错由能量平衡破坏后产生，即当薄膜的应变能量面密度 超过形成一个螺旋位错所需能量密度 时产生位错，其中外延层薄膜的应变能量密度为： 距离匹配界面h的螺旋位错面密度为： 式中a(x)为GeSi合金的晶格常数，与Ge含量x有关。利用薄膜厚度达到临界厚度时，应变能与位错能相等这一条件，可得： （2-4） （2-5） （2-6） 对于GexSi1-x系统，取b=0.4nm，则