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教学目的:半导体基础知识
重点内容:
1) 半导体能带结构
2)半导体载流子
3)半导体对光的吸收
4)光电效应
;;;能级(Enegy Level) ;硅单晶结构 ;能带(Enegy Band) ; a)绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV,导带中电子极少,所以导电性不好,电阻率大于1012Ω·cm。
b)半导体Si的Eg约为1.1eV,导带中有一定数目的电子,从而有一定的导电性,电阻率为10-3—1012Ω·cm。
c)金属的导带与价带有一定程度的重合,Eg=0,价电子可在金属中自由运动,导电性好,电阻率10-6—10-3Ω·cm。;本征半导体;杂质半导体;N型半导体;N型半导体;P型半导体;P型半导体;平衡载流子;本征半导体载流子浓度强烈依赖温度
随着温度增高,载流子浓度显著增加;平衡和非平衡载流子;非平衡载流子的产生;漂移电流与扩散电流;(二)扩散 电 流(diffusion current);讨论作业题;Ix=I0(1-r)e-αx;本征吸收 ;;半导体对光的吸收主要是本征吸收。对于硅材料,本征吸收的吸收系数比非本征吸收的吸收系数要大几十倍到几万倍,一般照明下只考虑本征吸收,可认为硅对波长大于1.15μm的可见光透明。 ;非本征吸收包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等。 ;激子吸收 ;半导体的特性;光电效应;光电效应;外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物
内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体
内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应
光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象;光电导效应
;暗态下
? Gd=σd·A/L, ????? Id=GdU=σd·AU/L
亮态下
? Gl=σl·A/L, ????? Il=GlU=σl·AU/L
亮态与暗态之差
?Gp=Gl - Gd=(σl-σd)·A/L=Δσ·A/L
?Ip=Il - Id=(Gl-Gd)·U=Δσ·AU/L
A:半导体材料横截面面积 L:半导体材料长度
I:电流 U:外加电压 G:电导 σ:电导率
Δσ:光致电导率的变化量
下标d代表暗,l代表亮,p代表光。;光电导弛豫过程;PN 结;一PN结的动态平衡过程和接触电位; 当P-N结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。
只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。这导致在N区边界附近有光生电子积累,在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结??内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。
此电场使势垒降低,其减小量即光生电势差,P端正,N端负。于是有结电流由P区流向N区,其方向与光电流相反。 ;光生伏特效应
;光热效应;光电检测器件;噪声特性;把均方噪声进行频谱分析
两种典型的噪声;噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。
由于噪声总是与有用信号混在一起,因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。
一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。
所以在精密测量、通信、自动控制等领域,减小和消除噪声是十分重要的问题。
;光电探测器常见的噪声;1、热噪声;2、散粒噪声;3、产生-复合噪声;4、1/f噪声;当频率很低时,1/f噪声主导
当频率中间时,产生-复合噪声显著
当频率很高时,白噪声占主导地位;以上噪声都与等效噪声带宽Δf有关;光电探测器的特征参数;一、响应特性;2.光谱响应度:探测器在波长为λ的单色光照射下,输出电压或电流与入射的单色光功率之比.
;3.响应时间(时间常数):响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数。
上升时间:入射光照射到光电探测器后,光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。
下降时间:入射光遮断后,光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。;探测器的输出上升达到稳定值的63%所需的时间或者下降到稳定值的37%所需的时间称为探测器的时间常数。;4、信噪比Signal-to-noise ratio ;5、噪声等效功率(NEP) Noise-equivalent power ;噪声等效功率是一个可测量的量。
设入射辐射的功率为P,测得的输出电压为U0
然后除去辐射源,测得探测器的噪声电压为UN
则按比例计算,要使U0=UN,的辐射功率为
;6、探测率与归一化探测率;三、量子效率?(?);量子效率与响应度的关系;四、线性度;五、工作温度;光电探测器的合理选择;Que
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