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PECVD梁锦豪彭卓腾蓝钊珏万弋目录PECVD的相关概念PECVD的工作原理PECVD的仪器结构PECVD的实际应用PECVD的相关论文Gas moleculesCoalescenceNucleationContinuous filmSubstrate Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子体增强化学气相沉积plasma:物质的第四态，由离子、电子以及未电离的中性粒子的集合组成CVD:含有薄膜元素的蒸气及反应所需其它气体在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程常见的几种CVD APCVD（大气压） LPCVD（低压）只有化学反应，没有溅射、刻蚀等靠加热反应，温度达1200K以上 PECVD（放电）更低的沉积温度300K~800K更高的沉积速率更低的能耗更低的成本更好的成膜质量ElectrodeRF generator 1) Reactants enter chamberPECVD reactorRF fieldGas delivery 7) Desorption of by-products 8) By-product removal 2) Dissociation of reactants by electric fieldsBy-products 3) Film precursors are formedExhaus