辐射度量及探测基础知识.pptVIP

光度量只在光谱的可见波段(380-780nm)才有意义。 辐射度量 符号 单位 光度量 符号 单位 辐射能 Qe J 光量 Q lm.s 辐射通量 Φ e W 光通量 Φ lm（流明） 辐射 强度 Ie W/sr 发光强度 I cd（坎德拉）=lm/sr 辐射 照度 Ee W/m2 光照度 E lx(勒克斯)=lm/m2 辐射出射度 Me W/m2 光出射度 M lm/m2 辐射亮度 Le W/sr.m2 光亮度 L cd/m2 第二十页，本课件共69页 光辐射基本定律和公式 （1）朗伯定律 理想的漫射发光或漫反射面，在某方向上的辐射强度同该方向与表面法线夹角呈余弦函数关系，若发光面法线方向的发光强度为I0 ,则与法线夹角为θ的方向的发光强度为：Iθ = I0 cosθ （2）布给定律 被照射面上的照度E同垂直照明时照度E0的关系是： E = E0 cosθ （3）平方反比定律 由点光源形成的照度，与该光源在一定方向上的发光强度成正比，而与被照面到点光源的距离平方成反比。即E = I/l2 第二十一页，本课件共69页 （4）亮度守恒定律 光辐射能在两种介质边界面上没有吸收、反射等损失时，则在两种介质里的亮度满足关系： 在一般成像光学系统中，像面亮度L’与物体亮度L有如下关系： L’ =τ(n’/n)2L 式中n，n’——物、像空间折射率； τ——光学系统的透过率 光辐射能在同种传输介质中没有损失时，表面2的亮度和表面1的亮度是相等的。 第二十二页，本课件共69页 （5）普朗克定律 黑体的光谱辐射出射度同波长λ、绝对温度T之间的关系式： 式中：c-光速；k-玻尔兹曼常数；h-普朗克常数。 第二十三页，本课件共69页 （6）斯特芬——玻尔兹曼定律 黑体辐射全部波长成分的总辐射出射度与黑体的绝对温度的四次方成正比。即： MeB(T)=σT4 式中σ=5.67×10-8W·m-2·K-4，称为斯特芬——玻尔兹曼常数。 黑体的峰值辐射波长λm随辐射体绝对温度T 的变化呈反比关系： λm T=2897.8 μm·K （7）维恩位移定律 第二十四页，本课件共69页 光辐射源 按发光机理，光电检测系统中的光源分为： 热辐射光源：太阳；白炽灯；黑体辐射。 气体放电光源：汞灯；荧光灯；钠灯；氙灯；金属卤化物灯；氘灯；空心阴极灯。 固体发光光源：场致发光灯；发光二极管。 激光器：气体激光器；固体激光器；染料激光器；半导体激光器。 第二十五页，本课件共69页 光源的基本特性参数 （1）辐射效率和发光效率 在给定波长范围内，某光源发出的辐射通量与所消耗的电功率之比称为该光源在此光谱范围内的辐射效率： 某光源发射的光通量与产生这些光通量所消耗的电功率之比，就是该光源的发光效率： 第二十六页，本课件共69页 常用光源的发光效率 光源 ηv /lm·W-1 光源 ηv /lm·W-1 钨丝灯 8~18 高压汞灯 30~40 卤钨灯 14~30 高压钠灯 90~100 普通荧光灯 35~60 球形氙灯 30~40 三基色荧光灯 55~90 高亮度LED 70~120 金属卤化物灯 60~80 第二十七页，本课件共69页 ?物体按导电能力分：导体、绝缘体和半导体。做光电器件的主要材料为半导体，电阻率在10－6～10－3Ω?cm范围之内的物质称为导体；电阻率大于1012Ω?cm 以上的物质称为绝缘体；介于它们之间的物质称为半导体 第二节、半导体物理基础 第二十八页，本课件共69页 ? 半导体的电阻温度系数一般是负的。它对温度的变化非常敏感。 ? 半导体的导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。 ? 半导体的导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界作用的影响而发生非常重要的变化。 一、半导体的特性 第二十九页，本课件共69页 导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。 绝缘体、半导体、金属的能带图 a) 绝缘体? b) 半导体? c) 金属 2、半导体的导电机制 第三十页，本课件共69页 ?半导体两端加电压后: 如果价带中填满了电子而没有空能级，在外电场的作用下，又没有足够的能量跃迁到导带，那么价带中的电子是不导电的。 价带 导带 禁带 (满带) 第三十一页，本课件共69页 如果价带中的电子在外界作用下，能够跃迁到导带中，则价带中留空位，邻近能级上的电子在电场作用下可以跃入这些空位，而在这些电子原来的能级上就出现空位。这样有些电子在原来热运动上迭加定向运动而形成电流。 价带 导带 禁带 第三十二页，