第四章化学气相沉积1.ppt

Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积 What is the Deposition? Gas Liquid Solid Condensation Vaporization Deposition Freezing Melting Sublimation 1、基本介绍 气相沉积技术： 化学气相沉积法 (Chemical Vapor Deposition，CVD): 利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。 PVD CVD 蒸发镀 离子镀 溅射镀 2、化学气相沉积的装置 CVD装置通常： 气源控制部件； 沉积反应室； 沉积温控部件； 真空排气和压强控制部件； 增加激励能源控制部件（在等离子增强型或其它 能源激活型CVD装置）。 CVD对原料、产物及反应类型的要求 1.反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 2.反应易于生成所需要的沉积物而其中副产品保留在气相中排出或易于分离. 3.整个操作较易于控制。 根据反应类型不同分为： 热解化学气相沉积 化学合成气相沉积a、氧化还原反应沉积 b、化合反应沉积 化学输运反应沉积(可逆反应） 根据激活方式不同分为： 热激活：电阻加热、感应加热、红外辐射加热 等离子增强的反应沉积（PCVD) （PECVD) 激光增强的反应沉积（LCVD) （LICVD) 微波电子共振等子离CVD 3、CVD分类 CVD技术的分类 CVD技术 低压CVD（LPCVD） 常压CVD（APCVD）） 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD CVD技术 低压CVD（LPCVD） 常压CVD（APCVD）） 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD CVD技术 低压CVD（LPCVD） 常压CVD（APCVD）） 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD 2.1 热解化学气相沉积 1、氢化物：氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气。 原料：通常IV B族ⅢB族和ⅡB族的一些低周期元素的氢化物如CH4、siH4、GeH4、B2H6、PH3、AsH3等都是气态化合物， 产物：相应的副族元素的单质 制备Si—Ge 合金全膜 2、有机烷氧基的元素化合物，在高温时不稳定，热分解生成该元素的氧化物。 3、此外还有一些金属的碳基化合物（有机烷基金属化合物），本身是气态或者很容易挥发成蒸气经过热分解，沉积出金属或金属氧化物薄膜。例如： 金属有机化学气相沉积技术（MOCVD) (Metal—Organic Chemical Vapor Deposition 2.2 氧化还原反应沉积 1、原料：元素的氢化物或有机烷基化合物 通入氧气 反应：氧化反应 产物：该元素的氧化物薄膜 2、原料：卤化物（许多卤化物是气态或易挥发的物质） 通入氢气 反应：氢还原反应 产物：卤化物中对应阳离子单质薄膜 2.3 化合反应沉积 在CVD技术中使用最多的反应类型是两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式。 常利用氢化物或有机烷基化合物的不稳定性，经过热分解后立即在气相中和其它原料气反应生成固态沉积物， 例如： 2.4 化学输运反应沉积 1、利用物质本身在高温下会气化分解然后在沉积反应器稍冷的地方反应沉积生成薄膜、晶体或粉末等形式的产物。 炼丹术 一般，输运反应中通常是T2＞T1，即生成气态化合物的反应温度T 2往往比重新反应沉积时的温度T1要高一些. W(s）+2I2（g） WI4(g） 约3000℃ （T1) 1400℃（T2) 特殊，T1 T2 溴钨灯、碘钨灯 化学输运过程是由低温向高温方向进行的。 2、也有的时候原料物质本身不容易发生分解，而需添加另一物质(称为输运剂)来促进输运中间气态产物的生成。例如： 原料： 是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 1）低周期元素的氢化物 2）有机