信息显示技术：第五章 发光二极管（LED）.pptxVIP

信息显示技术; LED的诞生及发展 LED的发光原理、基本结构及分类 LED的电学、光学和热特性 LED的制备 白光LED LED显示屏;LED;LED;LED;LED;LED;;;;; 1907年Henry Joseph Round发现了SiC的PN结产生发光现象； 1923年O.W.Lossew在SiC的点接触部位观测到发光 1952年J.R.Haynes等在锗，硅的P-N结，以及1955年G.A.Wolff在GaP中相继观测到发光现象 ; 从1962年Pankove观察到GaAs中P-N结的发光开始，相继发表关于GaAs，GaP，GaAsP，ZnSe等单晶生成技术，注入发光现象的大量论文 1968年GaAsP红色LED灯投入市场 1969年R.H.Raul等人发表GaP红色LED的外部发光效率达7.2% ; 1970-1971年，绿光LED问世； 20世纪80年代后，AlGaAs材料制造LED，红光LED光效提高近10倍； 20世纪80年代后期到90年代初，LED大量应用于信号显示及信息显示屏； 1994年，日本日亚中村秀二利用GaN材料研制出首个蓝色LED 1997年，日亚用蓝光LED+黄光荧光粉制得了白光LED，标志着半导体照明的开始 ;LED摩尔定律;外观变化;发展方向：;（二）LED的工作原理、特性;1. 发光机理;（1）辐射跃迁;本征跃迁; 对直接跃迁，发射光子的能量至少应满足：;非本征跃迁; GaP是一种III-V族间接带隙半导体，本征辐射跃迁效率很低，它的发光主要通过杂质对的跃迁。;（2）发光效率;（3）发光波长;2. 电流注入和发光;p-n结形成;正向特性;I-V特性;3. 发光效率; 在实际发光中，同时存在辐射复合和非辐射复合过程，两者的复合概率不同导致发光材料具有不同的发光效率。也就是发射光子效率取决于非平衡载流子辐射复合寿命与非辐射复合寿命的相对大小。 所以量子效率又可用“外量子效率”与“内量子效率”来表示发光效率。; 提高外量子效率的主要途径： （1）提高发光区的少数载流子的注入效率； （2）注入的少数载流子应具有良好的转换成光的特性； （3）LED的结构应能使晶体内部产生的光能够很好的发射到晶体外部。;（1）内部量子效率;（2）光抽取效率;4. 光输出和亮度;5. 调制特性（时间响应）; P-N结上注入的少数载流子寿命为;6.LED的热特性;; 结温升高，材料的禁带宽度将减小，导致LED发光波长变长，颜色向红色偏移; 结温升高，还会引起正向导通电压降VF的减小。;7. 发光二极管与激光二极管;LD：受激辐射 LED：自发辐射;8.LED的优点;;（三）LED的制备; 结构特性好； 界面特性好； 化学稳定性好； 热学特性好； ;目前生长GaN和InGaN的主要衬底材料。 ;缺点：; 化学稳定性好； 导电、导热性好，可以采用上下电极结构； 透光性好；;采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片; 晶体质量高； 尺寸大、成本低，易加工； 导电、导热性好； 热稳定性好; 晶格常数比较匹配 加工方便 价格便宜;价格低 易获得大尺寸的单晶体;2、LED的外延;主要包括：; (1)液相外延(LPE); (1)液相外延(LPE); (2)气相外延(LPE); (3)金属有机物化学气相沉积(MOCVD); (3)金属有机物化学气相沉积(MOCVD); (3)金属有机物化学气相沉积(MOCVD); (3)金属有机物化学气相沉积(MOCVD);（1）要求有合适的带隙宽度Eg；;（2）可获得高电导率的P型和N型晶体，以制备优良的PN结；;;;;;;LED芯片制造工艺;（2）芯片形成;（2）芯片形成;（2）芯片形成;提高芯片效率的方法; （1）双异质结（DH）;提高光引出效率的芯片技术;传统封装LED的光引出示意图;增加逸出角锥的数目;（1）在芯片与电极之间加入厚窗口层;（2）衬底剥离技术;（3）双反射(DR)和分布式布拉格反射(DBR)结构;（3）双反射(DR)和分布式布拉格反射(DBR)结构;（4）倒装芯片（Flip-chip）技术;（4）倒装芯片（Flip-chip）技术;（4）倒装芯片（Flip-chip）技术;（5）表面粗糙化技术;（6）异性芯片技术;（7）光子晶体技术;电极及电流扩展技术;电极形状;引入电流扩展层;4、LED的封装技术;封装的作用 研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路. LED技术大都是在半导体分离