金属和半导体接触.pptxVIP

金属和半导体接触; 理解肖特基势垒的作用方式及其I-V特性。 比较肖特基二极管与pn结二极管的电子输运特点及I-V特性 理解欧姆接触的能带特点与实现方式;7.2 金属半导体接触整流理论;?;?; 反向电流随反偏电压的增加而增加是由于势垒降低的影响。;区别１．电流输运机构不同 pn结二极管靠少子扩散运动形成电流，外加正偏电压时少子首先形成一定的积累，再靠扩散运动形成电流。 肖特基二极管的电流取决于多子通过内建电势的发射电流。外加正偏电压时直接形成漂移电流流走。 ;?;?;肖特基二极管与pn结I-V特性比较;肖特基二极管与pn结二极管I-V特性;7.3 少子注入和欧姆接触;?;欧姆接触;形成欧姆接触的方法 半导体掺杂浓度很高使得隧穿几率很大， 利用隧道效应的原理，把半导体一侧重掺杂形成金属-n+n或金属-p+p结构，从而得到理想的欧姆接触 ;?;?;金属与p型半导体非整流接触的理想情况;形成欧姆接触的非平衡理想能带图 正向偏压：半导体电子向金属发射，半导体内部电子向表面扩散，表面电势高于内部 反向偏压：金属电子向半导体发射，半导体表面电子向内部漂移，表面电势低于内部 无表面势垒 ;前述没有考虑表面态的影响．实际由于界面态的影响，很难很好的形成反阻挡型欧姆接触 因表面态密度较高，能够提供足够多的电子，流向金属的电子主要来自表面态，半导体势垒区几乎不变化 因此，实际的欧姆接触